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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
SDM 2012-03-05
11:20
東京 機械振興会館 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] SDM2011-178
pp.13-17
ICD 2007-04-13
13:50
大分 大分県・湯布院・七色の風 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上
砂村 潤五十嵐多恵子森岡あゆ香小辻 節忍田真希子五十嵐信行藤枝信次渡辺啓仁NECICD2007-15
微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案す... [more] ICD2007-15
pp.83-88
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