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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 15:25 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
窒化物半導体集積回路のためのSi NチャネルMOSFETによる発振回路の試作と検討 ○寺中七海・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大） |
[more] | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 16:55 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討 ○赤松龍弥・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大）  ED2023-8 CPM2023-8 SDM2023-25 |
[more] | ED2023-8 CPM2023-8 SDM2023-25 pp.32-35 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaNヘテロ構造のTiAl系オーミック電極の基礎的検討 ○吹中茉生・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大） ED2022-16 CPM2022-10 SDM2022-23 |
[more] | ED2022-16 CPM2022-10 SDM2022-23 pp.39-42 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-17 12:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 窒化物半導体集積回路プロセスの検討 ～ Siイオン注入による閾値制御の試み ～ ○岡田 浩・横山太一・三輪清允・山根啓輔・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大） ED2019-26 CPM2019-17 SDM2019-24 |
[more] | ED2019-26 CPM2019-17 SDM2019-24 pp.77-80 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 11:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 |
本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術および... [more] | ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 pp.79-83 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 15:00 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 ○近藤佑隆・篠原正俊・彦坂朋輝・馬場真人・岡田 浩・関口寛人・山根啓輔・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 |
[more] | ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 pp.19-23 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 ○山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31 |
本稿では、GaP/SiヘテロエピタキシーのためのSi基板上第一原子層の形成行程に着目し、Si基板の表面状態とGaP成長層... [more] | ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31 pp.61-65 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| IN | 2015-01-22 11:35 |
愛知 | 名古屋国際センター | セルラ特徴量を用いたバス乗車検知手法 ○花野博司・泉川晴紀（KDDI研）・岡田 宏・石川雄一（KDDI）・小野智弘（KDDI研） IN2014-101 |
筆者らは，スマートフォン上におけるクーポン配信と，プッシュメディアとしての移動体デジタルサイネージを組み合わせたO2O ... [more] | IN2014-101 pp.19-23 |
| IN | 2015-01-23 10:45 |
愛知 | 名古屋国際センター | セルラ情報を用いたO2Oサービスにおけるコンバージョン推定 ○泉川晴紀・花野博司（KDDI研）・石川雄一・岡田 宏（KDDI）・小野智弘（KDDI研） IN2014-108 |
筆者らは，スマートフォン上におけるクーポン配信と，プッシュメディアとしての移動体デジタルサイネージを組み合わせたO2O ... [more] | IN2014-108 pp.59-64 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 16:30 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 ○川上恭平・石丸貴博・篠原正俊・岡田 浩（豊橋技科大）・古川雅一（アリエースリサーチ）・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大） ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 |
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] | ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 pp.55-58 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 15:45 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 |
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] | ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 pp.23-26 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 ○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] | ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 pp.7-10 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:05 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 ○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] | ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 pp.11-14 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 10:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討 ○永本勇矢・松岡勝彦・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31 |
[more] | ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31 pp.57-61 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 pp.49-54 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | BGaPの分子線エピタキシー成長 ○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 |
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] | ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 pp.55-58 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 14:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価 ○丸山大地・岡田 浩・関口寛人・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-30 CPM2011-37 SDM2011-43 |
高温環境下で動作し、COガスに対して高い感度を有するガスセンサを目指してPt/GaN ショットキバリアダイオードを作製し... [more] | ED2011-30 CPM2011-37 SDM2011-43 pp.151-155 |
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