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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator ○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）  SDM2012-95 |
[more] | SDM2012-95 pp.33-36 |
| SDM | 2011-10-21 11:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-108 |
[more] | SDM2011-108 pp.63-66 |
| SDM | 2010-10-21 16:40 |
宮城 | 東北大学 | Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes ○Young-uk Song・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-156 |
[more] | SDM2010-156 pp.21-24 |
| SDM | 2010-10-22 13:10 |
宮城 | 東北大学 | Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-164 |
[more] | SDM2010-164 pp.49-52 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 17:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価 ○Gwang-Geun Lee（東工大）・Sung-Min Yoon（ETRI）・Joo-Won Yoon（東工大）・藤崎芳久（日立）・石原 宏・徳光永輔（東工大） SDM2010-16 OME2010-16 |
本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発性メモリ機能を... [more] | SDM2010-16 OME2010-16 pp.71-75 |
| SDM | 2009-10-30 11:00 |
宮城 | 東北大学 | Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures ○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2009-127 |
[more] | SDM2009-127 pp.43-46 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric ○Young-uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-63 SDM2009-58 |
In order to realize low voltage operation of pentacene-based... [more] | ED2009-63 SDM2009-58 pp.59-62 |
| SDM | 2008-03-14 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ○尹 珠元・大見俊一郎・石原 宏（東工大） SDM2007-275 |
[more] | SDM2007-275 pp.13-16 |
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