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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-12-07 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 ○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2012-115 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] | SDM2012-115 pp.1-5 |
| SDM | 2011-12-16 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 ○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2011-135 |
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] | SDM2011-135 pp.17-21 |
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