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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE, WPT (併催) |
2016-10-06 16:25 |
京都 | 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) | マイクロ波絶縁ゲートドライバーを用いたパワーデバイス駆動技術 ○崔 成伯・永井秀一・根来 昇・河井康史・田畑 修・山田康博・上野弘明・上田哲三（パナソニックAIS）  EE2016-23 WPT2016-29 |
新しい電力形態である双方向に電力を送電する分散型電源システムは、小型化や低損失化が今後の設備普及において課題となっている... [more] | EE2016-23 WPT2016-29 pp.25-30(EE), pp.55-60(WPT) |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 ○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 |
GaN-HEMTを用いたスイッチングコンバータの回路から放射される不要な電磁波を電磁界プローブによる2次元平面スキャンで... [more] | ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 pp.117-120 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 08:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices ○Kenji Mizutani・Hiroaki Ueno・Yuji Kudoh・Shuichi Nagai・Kaoru Inoue・Nobuyuki Otsuka・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Panasonic） |
[more] | |
| IN, NS (併催) |
2009-03-04 15:20 |
沖縄 | 沖縄残波岬ロイヤルホテル | 家庭内電力測定システムの試作開発及び実証実験 ○江連裕一郎・阿部憲一・松本 晃・伊藤哲也・田口 清・上野裕暁（NEC通信システム） IN2008-212 |
地球温暖化が社会的に重要な問題となっており，一般家庭における環境への配慮意識は高まりつつあるが，現在は地球温暖化ガス（C... [more] | IN2008-212 pp.475-480 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications ○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 ○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
[more] | ED2006-234 MW2006-187 pp.189-192 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 16:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 ○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅・井上 薫（松下電器） |
[more] | R2006-38 ED2006-183 SDM2006-201 pp.39-42 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:40 |
京都 | 京都大学 | 擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード ○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
窒化ガリウム（GaN）は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] | ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
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