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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-06-19
11:25
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
浜田慎也村上秀樹小野貴寛橋本邦明広島大)・大田晃生名大)・花房宏明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2014-48
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] SDM2014-48
pp.27-30
SDM 2013-06-18
14:15
東京 機械振興会館 SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
大田晃生広島大)・福嶋太紀牧原克典名大)・村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2013-56
 [more] SDM2013-56
pp.61-66
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
08:45
沖縄 沖縄県青年会館 Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
Akio OhtaHiroshima Univ.)・Katsunori MakiharaNagoya Univ.)・Mitsuhisa IkedaHideki MurakamiSeiichiro HigashiHiroshima Univ.)・Seiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer
Kuniaki HashimotoAkio OhtaHideki MurakamiSeiichiro HigashiHiroshima Univ.)・Seiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
SDM 2012-06-21
11:15
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御
村上秀樹三嶋健斗大田晃生橋本邦明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2012-49
 [more] SDM2012-49
pp.33-36
SDM 2012-06-21
13:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御
大田晃生松井真史村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2012-53
 [more] SDM2012-53
pp.53-58
SDM 2012-06-21
14:45
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析
小野貴寛大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2012-55
 [more] SDM2012-55
pp.63-67
SDM 2011-07-04
12:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御
村上秀樹藤岡知宏大田晃生三嶋健斗東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-58
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] SDM2011-58
pp.47-50
SDM 2011-07-04
14:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-61
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] SDM2011-61
pp.63-68
SDM 2011-07-04
16:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性
大田晃生後藤優太西垣慎吾Guobin Wei村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-67
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ:8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] SDM2011-67
pp.97-102
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
14:55
東京 東工大 大岡山キャンパス The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
Guobin WeiYuta GotoAkio OhtaKatsunori MakiharaHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2010-57 SDM2010-58
 [more] ED2010-57 SDM2010-58
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:30
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities
Akio OhtaDaisuke KanmeHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2010-94 SDM2010-95
 [more] ED2010-94 SDM2010-95
pp.189-194
SDM 2010-06-22
11:45
東京 東京大学(生産研An棟) Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価
藤岡知宏板東竜也大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2010-38
 [more] SDM2010-38
pp.27-32
SDM 2010-06-22
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響
大田晃生後藤優太モハマド ファイルズ カマルザン尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2010-47
 [more] SDM2010-47
pp.79-84
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
12:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor
Hideki MurakamiSyed MahboobKiyotaka KatayamaKatsunori MakiharaMitsuhisa IkedaYumehiro HataAkio KurodaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2009-87 SDM2009-82
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] ED2009-87 SDM2009-82
pp.161-164
SDM 2009-06-19
14:30
東京 東京大学(生産研An棟) 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
村上秀樹小埜芳和大田晃生東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-36
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more] SDM2009-36
pp.57-60
SDM 2009-06-19
17:00
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
後藤優太貫目大介大田晃生尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-44
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] SDM2009-44
pp.99-103
SDM 2007-12-14
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
古川弘和東 清一郎岡田竜弥加久博隆村上秀樹宮崎誠一広島大SDM2007-228
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] SDM2007-228
pp.27-29
MI 2007-11-16
14:00
石川 金沢大学 角間キャンパス(自然科学系図書館棟) イメージベース力学解析による脊椎における骨粗鬆症治療効果の検討
坂本二郎桜井佑輔金沢大)・田原大輔理研)・村上英樹川原範夫尾田十八富田勝郎金沢大MI2007-55
著者らは,X線CT画像から骨の有限要素モデルを作成して患者別の力学解析を行うソフトウェアを用い,脊椎圧迫骨折の危険性を評... [more] MI2007-55
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
14:15
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties
Kazuki OkuyamaKatsunori MakiharaAkio OhtaHideki MurakamiMitsuhisa IkedaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.
 [more]
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