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 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
11:25
東京 機械振興会館 A 64kb 16nm Asynchronous Disturb Current Free 2-Port SRAM with PMOS Pass-Gates for FinFET Technologies
Hidehiro FujiwaraLi-Wen WangYen-Huei ChenKoo-Cheng LinDar SunShin-Rung WuJhon-Jhy LiawChin-Yung LinMu-Chi ChiangHung-Jen LiaoShien-Yang WuJonathan ChangTSMC
 [more] ICD2016-4
pp.17-20
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]動作環境の動的変動を考慮した動作マージン拡大機能を有する自律制御キャッシュ
木美雄太中田洋平奥村俊介鄭 晋旭澤田卓也利川 托神戸大)・永田 真神戸大/JST)・中野博文藪内 誠藤原英弘新居浩二河合浩行ルネサス エレクトロニクス)・川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JST
車載など誤動作が人命に関わる分野に用いられるプロセッサには高い信頼性が求められる.一方で,プロセッサの高性能化・高集積化... [more] ICD2013-125
p.59
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘塚本康正石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉日大)・松田吉雄金沢大
 [more] SDM2013-76 ICD2013-58
pp.53-57
ICD 2012-12-18
09:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
藤原英弘藪内 誠塚本康正中野裕文大和田 徹河合浩行新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2012-114
pp.91-95
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
ICD 2012-04-24
15:40
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] SRAMとオンチップメモリビストを用いたチップID生成回路
藤原英弘藪内 誠中野裕文河合浩行新居浩二有本和民ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2012-17
pp.91-95
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
14:40
富山 富山県民会館 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘中野博文石原和哉河合浩行有本和民ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2011-91 ICD2011-59
pp.103-108
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
15:05
富山 富山県民会館 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM
石井雄一郎藤原英弘新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・千ヶ崎英夫黒宮 修佐伯 宰ルネサスデザイン)・宮西篤史木原雄治ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する.提案するアクティブ... [more] SDM2011-92 ICD2011-60
pp.109-114
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
15:30
富山 富山県民会館 動的基板制御による非対称SRAM
藪内 誠塚本康正藤原英弘前川考志五十嵐元繁新居浩二ルネサス エレクトロニクス
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar... [more] SDM2011-93 ICD2011-61
pp.115-120
ICD 2009-04-14
10:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM
吉本秀輔井口友輔奥村俊介藤原英弘野口紘希神戸大)・新居浩二ルネサステクノロジ)・川口 博吉本雅彦神戸大
本論文では,低電圧動作,小面積10T SRAMセルを提案する.提案10Tセルは,従来10Tセルと比較して回路構成を単純化... [more] ICD2009-6
pp.27-32
ICD 2009-04-14
11:05
宮城 大観荘(宮城県松島町) 7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造
奥村俊介藤原英弘井口友輔野口紘希川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JST
本稿ではハーフセレクト対策を考慮した7T/14TディペンダブルSRAMを提案する.ディペンダブルSRAMは1ビットのデー... [more] ICD2009-7
pp.33-38
ICD 2008-12-12
16:10
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 チップ間ばらつき補正機能を有する基板バイアス制御を用いた0.42V動作486kb FD-SOI SRAM
山口幸介藤原英弘竹内 隆大竹 優吉本雅彦川口 博神戸大
本発表では,FD-SOIのチップ間ばらつきを補正できる基板バイアス制御回路を搭載したSRAMの提案を行う.提案する基板バ... [more] ICD2008-127
pp.131-136
VLD, IPSJ-SLDM
(共催)
2008-05-09
14:35
兵庫 神戸大学 高信頼性モードと高速アクセスモードを有するディペンダブルSRAM
奥村俊介藤原英弘井口友輔野口紘希森田泰弘川口 博吉本雅彦神戸大
信頼性を動的に変化させることが可能なディペンダブルSRAMを提案する.提案するSRAMは7トランジスタ(7T)構成であり... [more] VLD2008-12
pp.31-36
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
15:40
北海道 北見工業大学 DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計
森田泰弘藤原英弘野口紘希井口友輔神戸大)・新居浩二神戸大/ルネサステクノロジ)・川口 博吉本雅彦神戸大
45nm世代以降のLSI製造プロセスノードにおいて,8トランジスタ構成のSRAMセル(8Tセル)が従来の6Tセルよりも小... [more] SDM2007-167 ICD2007-95
pp.139-144
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-26
15:40
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 長波帯標準電波を用いた低電力センサーノードのための垂直統合設計
大竹 優一圓真澄竹内 隆祗園昭宏三上真司藤原英弘川口 博太田 能吉本雅彦神戸大
センサノードの低電力化のために,長波帯標準電波を用いたIsochronous-MAC(以下I-MAC)を提案し,I-MA... [more] ICD2007-49
pp.71-76
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-26
17:30
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ 2-port SRAMの設計
奥村俊介野口紘希井口友輔藤原英弘森田泰弘神戸大)・新居浩二神戸大/ルネサステクノロジ)・川口 博吉本雅彦神戸大
動画像処理に適した低消費電力・非プリチャージ 2-port SRAMを提案する.提案するメモリセルは10トランジスタ(1... [more] ICD2007-53
pp.95-100
ICD 2007-04-12
13:50
大分 大分県・湯布院・七色の風 ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM
藤原英弘新居浩二野口紘希宮越純一村地勇一郎森田泰弘川口 博吉本雅彦神戸大
 [more] ICD2007-7
pp.35-40
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
15:00
北海道 北海道大学 しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発
野口紘希神戸大)・森田泰弘金沢大)・藤原英弘川上健太郎宮越純一神戸大)・三上真司金沢大)・新居浩二川口 博吉本雅彦神戸大
 [more] SDM2006-152 ICD2006-106
pp.155-160
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