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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）  SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
| SDM | 2010-06-22 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響 ○大田晃生・後藤優太・モハマド ファイルズ カマルザン・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-47 |
[more] | SDM2010-47 pp.79-84 |
| SDM | 2009-06-19 17:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-44 |
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] | SDM2009-44 pp.99-103 |
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