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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ISEC 2018-09-07
14:50
東京 機械振興会館 「わかりやすい」構造をもつDDH仮定に基づいたCCA安全な公開鍵暗号方式の拡張
上田大輔バグス サントソ電通大ISEC2018-59
 [more] ISEC2018-59
pp.43-50
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]Si基板上GaNパワーデバイス ~ スイッチング及び高周波応用 ~
上田哲三上本康裕酒井啓之田中 毅パナソニック)・上田大助京都工繊大ED2016-96 MW2016-172
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] ED2016-96 MW2016-172
pp.1-5
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:05
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
永井秀一根来 昇福田健志河井康史上田哲三田中 毅大塚信之上田大助パナソニックSDM2012-79 ICD2012-47
ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] SDM2012-79 ICD2012-47
pp.89-92
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
10:10
沖縄 沖縄県青年会館 [基調講演]GaNパワーデバイスの最新技術
上田大助パナソニック
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices
Kenji MizutaniHiroaki UenoYuji KudohShuichi NagaiKaoru InoueNobuyuki OtsukaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaPanasonic
 [more]
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:30
東京 機械振興会館 P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
柴田大輔海原一裕村田智洋山田康博森田竜夫按田義治石田昌宏石田秀俊上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2011-137 MW2011-160
 [more] ED2011-137 MW2011-160
pp.101-105
EE 2011-11-18
11:30
東京 機械振興会館 高効率の多入力DC-DCコンバータについて
開田 健末富正之上田大輔伊藤 翼長崎大)・林 文忠ミンジャン大)・松尾博文長崎大EE2011-26
本論文は, 多入力DC-DCコンバータの高効率化に関する論文である. 本論文では, トランスの巻線を介して誘起される循環... [more] EE2011-26
pp.13-17
EE 2011-11-18
14:00
東京 機械振興会館 高電圧直流給電システムのための高効率の高周波スイッチング絶縁回路
今道大介末富正之松本晋治上田大輔楊 忠叡伊藤 翼長崎大)・林 文忠ミンジャン大)・松尾博文長崎大EE2011-29
近年,エネルギー消費の低減及び化石燃料を用いない太陽光発電,風力発電等のグリーンエネルギーを利用するために,高電圧直流給... [more] EE2011-29
pp.31-35
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2009-01-14
15:25
東京 機械振興会館 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード
石田秀俊柴田大輔松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2008-202 MW2008-167
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] ED2008-202 MW2008-167
pp.23-27
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
15:20
愛知 名古屋工業大学 EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析
石堂輝樹松尾尚慶片山琢磨上田哲三井上 薫上田大助パナソニックED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125
GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されてい... [more] ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125
pp.145-148
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
ED, MW
(共催)
2008-01-16
16:15
東京 機械振興会館 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔上本康裕柳原 学石田秀俊松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・松尾尚慶松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.)・上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2007-213 MW2007-144
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] ED2007-213 MW2007-144
pp.39-43
ED, MW
(共催)
2008-01-17
14:50
東京 機械振興会館 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ
福田健志根来 昇宇治田信二永井秀一西嶋将明酒井啓之田中 毅上田大助松下電器ED2007-223 MW2007-154
26GHz帯超高帯域無線(UWB)を用いた車載用近距離レーダの無線部およびマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の試... [more] ED2007-223 MW2007-154
pp.93-97
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications
Yasuhiro UemotoMasahiro HikitaHiroaki UenoTomohiro MurataHisayoshi MatsuoHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaMatsushita
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more]
MW, ED
(共催)
2007-01-19
14:50
東京 機械振興会館 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ
上本康裕引田正洋上野弘明松尾尚慶石田秀俊柳原 学上田哲三田中 毅上田大助松下電器
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] ED2006-235 MW2006-188
pp.193-197
LQE 2006-12-08
10:55
東京 機械振興会館 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ
大西俊一谷川達也清水 順上田哲三上田大助松下電器
 [more] LQE2006-106
pp.17-20
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:20
東京 機械振興会館 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
引田正洋柳原 学中澤一志上野弘明廣瀬 裕上田哲三上本康裕田中 毅上田大助松下電器)・江川孝志名工大
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] ED2004-212 MW2004-219
pp.1-5
MW, ED
(共催)
2005-01-18
10:10
東京 機械振興会館 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET
村田智洋引田正洋廣瀬 裕井上 薫上本康裕田中 毅上田大助松下電器
 [more] ED2004-214 MW2004-221
pp.13-17
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