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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2018-10-18 11:25 |
佐賀 | 佐賀県教育会館 第1会議室 | SOA搭載光スイッチにおける8×32-Gbaud 16-QAM WDM信号伝送 ○鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・井上 崇（産総研）・松本 武・倉橋輝雄・植竹理人・高林和雅・秋山 傑・関口茂昭（富士通研）・並木 周・河島 整・池田和浩（産総研）  OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57 |
4チャネルInP-SOAをフリップチップ実装により搭載した4×4シリコンフォトニクススイッチを用いて、8 ch., 32... [more] | OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57 pp.25-28 |
| LQE | 2018-07-12 14:20 |
北海道 | 北海道大学 | シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 ○松本 武・倉橋輝雄（富士通研）・鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・谷澤 健（産総研）・植竹理人・高林和雅（富士通研）・池田和浩・河島 整（産総研）・秋山 傑・関口茂昭（富士通研） LQE2018-23 |
光パスネットワーク実現のキーデバイスである大規模Si光スイッチのオンチップ光損失を補償するため、光半導体増幅器 (SOA... [more] | LQE2018-23 pp.13-16 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-28 14:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | シリコンWDMインターコネクトに向けたフリップチップ実装8波長DFBレーザアレイの高温・同時動作 ○田中信介（光電子融合基盤技研）・松本 武・倉橋輝雄・松田 学・植竹理人（富士通研）・関口茂昭・田中 有・森戸 健（光電子融合基盤技研） R2015-44 EMD2015-52 CPM2015-68 OPE2015-83 LQE2015-52 |
[more] | R2015-44 EMD2015-52 CPM2015-68 OPE2015-83 LQE2015-52 pp.105-108 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ ○植竹理人・高林和雅・木村徳治・山本剛之（富士通研）・山口正臣・高田 幹・武政敬三・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） OPE2015-17 LQE2015-27 |
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] | OPE2015-17 LQE2015-27 pp.35-38 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-22 14:25 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送 ○松田 学・植竹理人・下山峰史・奥村滋一・高林和雅・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2014-3 |
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] | LQE2014-3 pp.9-13 |
| LQE | 2012-12-13 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 ○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2012-124 |
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector（DR）レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] | LQE2012-124 pp.15-18 |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 16:15 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 ○田中信介・植竹理人・山崎 進・江川 満・森戸 健（富士通研） PN2009-63 OPE2009-201 LQE2009-183 |
半導体光増幅器(SOA)は光ネットワークに用いる小型光アンプとして有望である。しかし、従来SOAの光レベル制御では利得変... [more] | PN2009-63 OPE2009-201 LQE2009-183 pp.149-154 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2007-11-01 16:40 |
福岡 | 九州工業大学 | TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子 ○関口茂昭・高林和雅・早川明憲・苫米地秀一・植竹理人・江川 満・鍬塚治彦（富士通研） OCS2007-53 OPE2007-108 LQE2007-94 |
われわれは小型かつ長距離伝送が可能な10\,Gb/s DWDM用波長可変送信器として，TDA-DFBレーザを用いた波長可... [more] | OCS2007-53 OPE2007-108 LQE2007-94 pp.61-64 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ ○高林和雅・関口茂昭・早川明憲・苫米地秀一・植竹理人・鍬塚治彦（富士通研） OPE2007-17 LQE2007-18 |
将来の光ネットワークシステムに用いられる波長可変光源として、電流制御による単純かつ高速な波長切り替えが可能なTDA(Tu... [more] | OPE2007-17 LQE2007-18 pp.5-10 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2006-10-12 14:20 |
福岡 | 九大 筑紫キャンパス | 高出力偏波無依存型MQW-SOA ○田中信介（富士通）・苫米地秀一（富士通研）・植竹理人（富士通）・江川 満（富士通研）・森戸 健（富士通） OCS2006-41 OPE2006-94 LQE2006-83 |
ナノ秒オーダの切り替え速度を有する高速光ゲートスイッチへの適用に向けて、高出力偏波無依存型半導体光増幅器(SOA)の開発... [more] | OCS2006-41 OPE2006-94 LQE2006-83 pp.17-20 |
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