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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-06-18
16:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
渡部平司チャンタパン アタウット阪大)・中野佑紀中村 孝ローム)・細井卓治志村考功阪大
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に,その改... [more] SDM2013-61
pp.87-90
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
Takuji HosoiTakashi KirinoYusuke UenishiDaisuke IkeguchiAtthawut ChanthaphanOsaka Univ.)・Akitaka YoshigoeYuden TeraokaJAEA)・Shuhei MitaniYuki NakanoTakashi NakamuraROHM)・Takayoshi ShimuraHeiji WatanabeOsaka Univ.
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