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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-11-19
13:10
ONLINE オンライン開催 [招待講演]大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて
押山 淳名大SDM2020-24
GaNエピタキシャル成長の素過程に関する第一原理計算を報告する.Gaリッチな成長表面ではGa-Gaボンドがユビキタスに存... [more] SDM2020-24
pp.11-14
SDM 2017-11-10
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
森 伸也美里劫夏南阪大)・岩田潤一押山 淳東大SDM2017-69
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため,実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] SDM2017-69
pp.43-46
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
14:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究
白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JSTED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
pp.47-50
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