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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2016-130 SDM2016-147
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
OME 2016-10-28
14:00
東京 機械振興会館 Au/pentacene/Au接合デバイスのDC伝導特性
林 稔晶中 章圭藤原 聡NTT)・横田知之染谷隆夫東大OME2016-40
Au / pentacene / Au接合デバイスの直流伝導測定をおこなった.光伝導、スキャン方向依存性、経時変化という... [more] OME2016-40
pp.9-12
OME 2016-10-28
14:40
東京 機械振興会館 Molecular Nanoarrays: from conductance statistics to high-frequency molecular electronics
Jorge TrasobaresKacem SmaaliCNRS)・Akira FujiwaraNTT)・Didier TheronDominique VuillaumeCNRS)・○Nicolas ClementNTTOME2016-42
 [more] OME2016-42
pp.17-20
OME 2015-11-06
14:40
東京 機械振興会館 Ag/pentacene/Ag接合におけるホッピング伝導
林 稔晶NTT)・横田知之志立 錬東大)・藤原 聡NTT)・染谷隆夫東大OME2015-62
 [more] OME2015-62
pp.11-14
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2012-138 SDM2012-167
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] ED2012-138 SDM2012-167
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
登坂仁一郎西口克彦影島博之藤原 聡NTTED2011-149 SDM2011-166
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS... [more] ED2011-149 SDM2011-166
pp.41-46
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
11:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
西口克彦藤原 聡NTTED2011-154 SDM2011-171
Subthreshold swing (S値)が小さいシリコンMOSFETを利用した確率共鳴について報告する.細線チャネ... [more] ED2011-154 SDM2011-171
pp.71-76
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道 北海道大学 百年記念会館 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
篠原迪人加藤勇樹三上 圭有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2010-203 SDM2010-238
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] ED2010-203 SDM2010-238
pp.63-66
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
11:35
北海道 北海道大学 百年記念会館 単一電子を利用した確率共鳴
西口克彦藤原 聡NTTED2010-205 SDM2010-240
シリコンMOSFETに流れる単一電子を利用した確率共鳴について報告する.ナノ・スケールMOSFETに微小信号を入力すると... [more] ED2010-205 SDM2010-240
pp.73-77
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
12:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
Mingyu JoTakuya KaizawaMasashi AritaHokkaido Univ.)・Akira FujiwaraYukinori OnoNTT)・Hiroshi InokawaShizuoka Univ.)・Jung-Bum ChoiChungbuk National Univ.)・Yasuo TakahashiHokkaido Univ.ED2009-94 SDM2009-89
We propose a simple method for the fabrication of Si single-... [more] ED2009-94 SDM2009-89
pp.189-192
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
14:10
北海道 北海道大学 マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
宮崎康晶NTT/慶大)・小野行徳影島博之永瀬雅夫藤原 聡NTT)・太田英二慶大ED2008-225 SDM2008-217
 [more] ED2008-225 SDM2008-217
pp.7-11
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:25
北海道 北海道大学 Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性
曹 民圭開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2008-233 SDM2008-225
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] ED2008-233 SDM2008-225
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:00
北海道 かでる2・7(札幌) 電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
西口克彦チャーリー カクラン小野行徳藤原 聡猪川 洋山口浩司NTTED2008-62 SDM2008-81
 [more] ED2008-62 SDM2008-81
pp.119-124
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
11:40
北海道 北海道大学 Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
開澤拓弥曹 民圭有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大ED2007-250 SDM2007-261
 [more] ED2007-250 SDM2007-261
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
12:05
北海道 北海道大学 ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ~ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ~
西口克彦藤原 聡NTTED2007-251 SDM2007-262
シリコンMOSFETを利用した確率的情報処理回路について報告する.ナノ・スケールMOSFETに流れる電流をアトアンペア以... [more] ED2007-251 SDM2007-262
pp.75-79
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス
西口克彦小野行徳藤原 聡NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した.MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリ... [more]
SDM, ED
(共催)
2007-02-01
16:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
 [more] ED2006-246 SDM2006-234
pp.35-40
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
15:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 [招待講演]MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ~ SOIを用いた素子作製と特性評価 ~
西口克彦小野行徳藤原 聡猪川 洋NTT)・高橋庸夫北大
MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出器の複合デバイスについて報告する。転送素子は直列... [more] ED2005-228 SDM2005-240
pp.23-28
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