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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-10-22
10:50
ONLINE オンライン開催 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発
齊藤宏河吉田彩乃黒田理人東北大)・柴田 寛柴口 拓栗山尚也ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利東北大SDM2020-15
本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは,... [more] SDM2020-15
pp.7-11
SDM 2020-10-22
14:50
ONLINE オンライン開催 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2020-19
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2020-19
pp.25-29
SDM 2020-10-22
15:50
ONLINE オンライン開催 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
秋元 瞭黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・間脇武蔵市野真也諏訪智之須川成利東北大SDM2020-21
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数と... [more] SDM2020-21
pp.34-39
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:00
東京 機械振興会館 地下3階6号室 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大ED2019-104 MW2019-138
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] ED2019-104 MW2019-138
pp.55-58
SDM 2019-11-08
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術
黒田理人東北大SDM2019-79
 [more] SDM2019-79
pp.55-58
SDM 2019-10-24
10:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [依頼講演]Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響
城戸光一佐藤 謙黒田理人安藤大輔須藤祐司小池淳一東北大SDM2019-60
 [more] SDM2019-60
pp.35-38
SDM 2019-10-24
15:10
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム
前田 健大村裕弥黒田理人寺本章伸諏訪智之須川成利東北大SDM2019-65
様々な次世代メモリ材料の抵抗値を高精度に統計評価可能な抵抗測定プラットフォームについて報告する.開発したプラットフォーム... [more] SDM2019-65
pp.59-64
SDM 2019-10-24
15:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測
髙橋圭吾Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva黒田理人藤原康行村田真麻石井秀和森本達郎諏訪智之寺本章伸須川成利東北大SDM2019-66
70 dB超の信号対雑音比(SN比)と紫外波長帯域において高感度・高耐光性を有する横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量(L... [more] SDM2019-66
pp.65-68
SDM 2019-10-24
16:10
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察
山崎森太郎後藤哲也鈴木 学黒田理人須川成利東北大SDM2019-67
 [more] SDM2019-67
pp.69-72
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
SDM 2017-10-25
14:50
宮城 東北大学未来研 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減
朴 賢雨・○黒田理人後藤哲也諏訪智之寺本章伸木本大幾須川成利東北大SDM2017-51
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] SDM2017-51
pp.9-14
SDM 2017-10-26
10:20
宮城 東北大学未来研 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計
石井秀和東北大)・永瀬正明池田信一フジキン)・志波良信白井泰雪黒田理人須川成利東北大SDM2017-56
半導体,パワーデバイス,LED,ディスプレイ等の電子デバイス製造プロセスにおいて,濃度制御製が困難な有機金属ガスが使用さ... [more] SDM2017-56
pp.35-38
SDM 2017-10-26
14:00
宮城 東北大学未来研 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析
市野真也間脇武蔵寺本章伸黒田理人若嶋駿一須川成利東北大SDM2017-60
CMOSイメージセンサ(CIS)の画素内ソースフォロアトランジスタ(SF)で発生するランダムテレグラフノイズ(RTN)に... [more] SDM2017-60
pp.57-62
SDM 2016-10-26
14:50
宮城 東北大学未来研 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術
古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市須川成利東北大)・鈴木大介千葉洋一郎石井勝利清水 亮長谷部一秀東京エレクトロン東北SDM2016-70
 [more] SDM2016-70
pp.9-14
SDM 2016-10-27
10:00
宮城 東北大学未来研 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバSDM2016-73
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待され... [more] SDM2016-73
pp.27-30
SDM 2016-10-27
10:50
宮城 東北大学未来研 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大SDM2016-75
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] SDM2016-75
pp.35-38
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製
小尻尚志諏訪智之橋本圭市寺本章伸黒田理人須川成利東北大EID2015-9 SDM2015-92
新規に開発したSiNxエッチングガス(SSY525:日本ゼオン製プロトタイプ)のエッチング基礎特性評価を行った.その結果... [more] EID2015-9 SDM2015-92
pp.1-4
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2015-10-30
10:20
宮城 東北大学未来研 トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討
古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市小尻尚志須川成利東北大SDM2015-77
 [more] SDM2015-77
pp.35-40
SDM 2015-10-30
15:30
宮城 東北大学未来研 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2015-83
 [more] SDM2015-83
pp.63-68
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