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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2015-04-17
10:00
長野 信州大学 [招待講演]Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM)
高浦則克超低電圧デバイス技研組合
 [more] ICD2015-8
pp.33-37
ICD 2013-04-11
09:00
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス
森川貴博秋田憲一大柳孝純北村匡史木下勝治田井光春高浦則克超低電圧デバイス技研組合
 [more] ICD2013-1
pp.1-4
ICD 2011-04-18
15:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動
高浦則克超低電圧デバイス技研組合
相変化デバイスの動向とつくばイノベーションアリーナ(TIA)における研究活動を報告する.主な内容は,低電力動作を実現する... [more] ICD2011-6
pp.33-36
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-09
10:25
福岡 福岡交通センター [招待講演]低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久守谷浩志高浦則克鳥居和功日立
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] MR2009-26
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] SDM2009-112 ICD2009-28
pp.79-83
ICD 2007-04-12
11:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]書換え電流100μA、書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ
小田部 晃半澤 悟日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・長田健一松井裕一松崎 望高浦則克日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
0.13μm,1.5V CMOS技術を用いて,混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] ICD2007-5
pp.23-28
SDM 2007-03-15
13:05
東京 機械振興会館 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
松井裕一黒土健三外村 修森川貴博木下勝治藤崎芳久松崎 望半澤 悟寺尾元康高浦則克守谷浩志岩崎富生日立)・茂庭昌弘古賀 剛ルネサステクノロジ
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] SDM2006-254
pp.1-6
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-01-26
10:30
東京 機械振興会館 1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
半澤 悟長田健一河原尊之竹村理一郎日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・高浦則克松崎 望黒土健三守谷浩志日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ
世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more] ICD2005-206
pp.7-12
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