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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
16:15
静岡 静岡大学(浜松) CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価
李 遠霖福地 厚有田正志北大)・森江 隆九工大)・高橋庸夫北大
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は,人工シナプスを実現可能... [more] ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
pp.29-34
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
MBE, NC
(併催)
2016-03-22
11:00
東京 玉川大学 Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価
富崎和正森江 隆安藤秀幸九工大)・福地 厚有田正志高橋庸夫北大
ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い,高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア(集積回路)が... [more] NC2015-70
pp.7-12
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
11:40
北海道 北海道大学百年記念会館 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察
大野裕輝廣井孝弘工藤昌輝浜田弘一有田正志高橋庸夫北大
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] ED2013-148 SDM2013-163
pp.89-94
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] ED2012-138 SDM2012-167
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
10:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性
石川琢磨佐藤栄太浜田弘一有田正志高橋庸夫北大
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に,室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] ED2011-152 SDM2011-169
pp.59-64
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道 北海道大学 百年記念会館 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
篠原迪人加藤勇樹三上 圭有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] ED2010-203 SDM2010-238
pp.63-66
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
09:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array
Yasuo TakahashiTakuya KaizawaMingyu JoMasashi AritaHokkaido Univ.)・Akira FujiwarYukinori OnoNTT)・Hiroshi InokawaShizuoka Univ.)・Jung-Bum ChoiChungbuk National Univ.
シリコンナノドットアレイ構造における単電子効果を利用した高機能デバイスを実証した。このデバイスは、アレイ構造を取るため、... [more] ED2009-83 SDM2009-78
pp.145-148
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:25
北海道 北海道大学 Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性
曹 民圭開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] ED2008-233 SDM2008-225
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
10:55
北海道 北海道大学 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓
雨宮好仁高橋庸夫北大
 [more] ED2008-236 SDM2008-228
pp.69-74
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
11:40
北海道 北海道大学 Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
開澤拓弥曹 民圭有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
 [more] ED2007-250 SDM2007-261
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス
西口克彦小野行徳藤原 聡NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した.MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリ... [more]
SDM, ED
(共催)
2007-02-01
16:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
 [more] ED2006-246 SDM2006-234
pp.35-40
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
14:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション
開澤拓弥有田正志高橋庸夫北大
 [more] ED2005-226 SDM2005-238
pp.13-18
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
15:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 [招待講演]MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ~ SOIを用いた素子作製と特性評価 ~
西口克彦小野行徳藤原 聡猪川 洋NTT)・高橋庸夫北大
MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出器の複合デバイスについて報告する。転送素子は直列... [more] ED2005-228 SDM2005-240
pp.23-28
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