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 35件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
15:50
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
高木信一トープラサートポン カシディット名幸瑛心鈴木陸央閔 信義竹中 充中根了昌東大SDM2023-80
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] SDM2023-80
pp.24-27
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-15
15:05
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
強い宝くじ仮説とFeFETベースCiMのCo-design
山内堅心山田 歩三澤奈央子趙 成謹トープラサートポン カシディット高木信一松井千尋竹内 健東大VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43
強い宝くじ仮説(SLTH)は、初期化したNNは良い精度の部分ネットワークを含んでいるという仮説であり、重みを更新しなくて... [more] VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43
pp.60-63
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-16
10:20
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Hyperdimensional Computing向けFeFET CiMの設計とエラー耐性
松井千尋小林英太郎三澤奈央子トープラサートポン カシディット高木信一竹内 健東大VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51
電圧センス型のFeFET Computation-in-Memory (CiM)を用いた,Hyperdimensiona... [more] VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51
pp.99-100
SDM 2023-06-26
10:10
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 [記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
隅田 圭姜 旼秀陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2023-27
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] SDM2023-27
pp.1-4
ICD 2023-04-10
13:20
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング
名幸瑛心トープラサートポン カシディット中根了昌竹中 充高木信一東大ICD2023-4
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた.FeFET... [more] ICD2023-4
p.9
SDM 2023-01-30
15:25
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
宮武悠人東大)・牧野孝太郎富永淳二宮田典幸中野隆志岡野 誠産総研)・トープラサートポン カシディット高木信一竹中 充東大SDM2022-83
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] SDM2022-83
pp.17-20
SDM 2022-11-10
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
隅田 圭姜 旼秀陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2022-65
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] SDM2022-65
pp.7-12
SDM 2022-01-31
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計
隅田 圭陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2021-71
極薄膜(ETB)ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] SDM2021-71
pp.12-15
SDM 2021-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待
高木信一トープラサートポン カシディット羅 璇名幸瑛心王 澤宇李 宗恩田原建人竹中 充中根了昌東大SDM2021-55
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] SDM2021-55
pp.13-18
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM
松井千尋トープラサートポン カシディット高木信一竹内 健東大SDM2021-37 ICD2021-8
エネルギー効率が高く,高スループットでノイズに強いHZO FeFET Computation-in-Memory(CiM... [more] SDM2021-37 ICD2021-8
pp.38-41
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
SDM 2021-01-28
16:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御
隅田 圭トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2020-54
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] SDM2020-54
pp.21-24
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大SDM2020-2 ICD2020-2
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] SDM2020-2 ICD2020-2
pp.3-7
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング
名幸瑛心トープラサートポン カシディット中根了昌王 澤宇宮武悠人竹中 充高木信一東大SDM2020-7 ICD2020-7
 [more] SDM2020-7 ICD2020-7
pp.31-36
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-23
09:25
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望
竹中 充李 強関根尚希高木信一東大R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2019-46 ICD2019-11
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
LQE 2018-07-13
10:40
北海道 北海道大学 [招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望
竹中 充高木信一東大LQE2018-31
我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し,その光変調器応... [more] LQE2018-31
pp.43-46
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
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