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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
09:30
福井 福井市地域交流プラザ 20GHz超応答に向けた波長850nm帯SOI-PIN光検出器の設計と周波数応答の構造依存性
丸山武男三津野翔哉飯山宏一金沢大LQE2016-8
 [more] LQE2016-8
pp.33-36
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
09:55
福井 福井市地域交流プラザ 標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性
飯山宏一ズル アトフィ ファウザン モハメド ナピア菱木拓哉金沢大LQE2016-9
標準CMOSプロセスで作製されたAPD (CMOS-APD)は10,V以下の電圧で高いアバランシェ利得と1,GHz以上の... [more] LQE2016-9
pp.37-41
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
10:30
福井 福井市地域交流プラザ FMCW光センサシステムのための半導体レーザの光周波数掃引の線形化
飯山宏一中本篤志ノル アズリナ ビンティ ラザム金沢大LQE2016-10
FMCW光センサシステムは光周波数が掃引されたレーザを光源に用いる高分解能な光距離センサシステムであるが,高い性能を得る... [more] LQE2016-10
pp.43-48
OME, IEE-DEI
(連催)
2015-07-29
14:10
富山 富山大学工学部 青色半導体レーザ励起による面発光色素レーザの室温パルス発振
谷沢元春高橋良平丸山武男飯山宏一金沢大OME2015-37
本研究では,貼り付け法によるCoumain6を用いた有機面発光色素レーザの作製および青色半導体レーザ励起による評価を行っ... [more] OME2015-37
pp.15-17
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-22
14:30
石川 金沢能楽美術館 波長依存性低減に向けたSi/SiO2曲線方向性結合器の設計と特性評価
中瀬大志森野久康丸山武男飯山宏一金沢大LQE2015-17
 [more] LQE2015-17
pp.85-88
LQE, LSJ
(共催)
2014-05-22
13:35
福井 福井大学文京キャンパス CMOS互換プロセスによるSOI横型PIN光検出器の高速応答特性
李 根前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2014-1
 [more] LQE2014-1
pp.1-4
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-24
09:35
福岡 門司港・海峡ロマンホール Si/SiO2曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長依存性低減
森野久康丸山武男飯山宏一金沢大OCS2013-47 OPE2013-93 LQE2013-63
方向性結合器は光電子集積回路を構成するデバイスとして広く用いられている.しかし,これら方向性結合器は一般に波長依存性が大... [more] OCS2013-47 OPE2013-93 LQE2013-63
pp.1-4
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
14:00
東京 機械振興会館 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大)・鈴木寿一北陸先端大OPE2013-10 LQE2013-20
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での... [more] OPE2013-10 LQE2013-20
pp.19-22
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
16:35
石川 金沢大学角間キャンパス BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-15
シリコンゴトニクスを実現するためには,シリコンプラットフォーム上に受発光素子を集積化する技術が必要となる.本研究では,ベ... [more] LQE2013-15
pp.67-70
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
17:00
石川 金沢大学角間キャンパス 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性
霜鳥敏之刑部遼一丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-16
集積回路の更なる高速化および低電力化に向けた集積回路と光デバイスとの集積化を目的として、標準0.18 m... [more] LQE2013-16
pp.71-74
OPE, LQE
(共催)
EMD, CPM, OME
(共催)
(併催) [詳細]
2012-06-22
11:20
東京 機械振興会館 0.35umBiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答
前北和晃霜鳥敏之丸山武男飯山宏一金沢大OPE2012-13 LQE2012-17
現在,集積回路の更なる高速化,低消費電力化に向けて,集積回路と光デバイスの集積化の研究が進められている.この集積化に向け... [more] OPE2012-13 LQE2012-17
pp.17-20
LQE, LSJ
(共催)
2012-05-25
10:00
福井 福井大学文京キャンパス 垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析
李 根江渕真伍橋本康典丸山武男飯山宏一金沢大LQE2012-2
 [more] LQE2012-2
pp.7-10
LQE, LSJ
(共催)
2012-05-25
14:50
福井 福井大学文京キャンパス CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価
霜鳥敏之前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2012-10
Blu-ray Discの更なる記録容量の増加にむけ、多層化技術が広く研究されている。しかし、記録面を多層化することで、... [more] LQE2012-10
pp.43-46
LQE, LSJ
(共催)
2011-05-20
09:35
石川 金沢大学 角間キャンパス 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答
乙坂英志江渕真伍丸山武男飯山宏一金沢大)・太平圭介松村英樹北陸先端大LQE2011-1
 [more] LQE2011-1
pp.1-4
LQE, LSJ
(共催)
2011-05-20
14:10
石川 金沢大学 角間キャンパス 非晶質PETを用いた低損失有機光導波路
飯山宏一石田光正佐々木香苗北村広美丸山武男金沢大LQE2011-9
非晶質PET(PET-G)をコアに用いた有機光導波路を作製した。PET-Gペレットを有機溶媒に溶解し、スピンコート法によ... [more] LQE2011-9
pp.37-40
OPE 2010-12-17
14:45
東京 機械振興会館地下3階2号室 アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答
乙坂英志河原健志丸山武男飯山宏一金沢大)・大平圭介松村英樹北陸先端大OPE2010-135
 [more] OPE2010-135
pp.23-26
LQE 2010-05-28
13:25
福井 福井大学 文京キャンパス 総合研究棟I 13階会議室 MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析
稲本 慎丸山武男飯山宏一金沢大LQE2010-8
Si光導波路を用いた位相制御型光スイッチング素子は、一般的に熱光学効果を用いるため、消費電力が大きい。そこで、MEMSを... [more] LQE2010-8
pp.31-34
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
14:30
東京 機械振興会館6階66号室 MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討
稲本 慎丸山武男飯山宏一金沢大OPE2009-23 LQE2009-26
Si光導波路を用いたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の位相制御器は、一般的に熱光学効果を用いているが、消費電力が大き... [more] OPE2009-23 LQE2009-26
pp.41-44
LQE 2007-05-25
16:30
富山 金沢大学角間キャンパス Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製
飯山宏一浅井覚詞若島誠寛金沢大LQE2007-15
Si細線光導波炉の伝播損失低減を目指して、選択酸化法による作製と評価について報告する。Si細線光導波路は通常、クラッドと... [more] LQE2007-15
pp.69-72
LQE 2005-05-19
10:05
石川 金沢大学 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作
鄭 太雄・○飯山宏一高宮三郎金沢大
横型光検出部を持つInP/InGaAsフォトトランジスタの試作と評価結果を述べる。本フォトトランジスタはコレクタとエミッ... [more] LQE2005-1
pp.1-4
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