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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
13:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証
市原玲華藤井章輔今野拓也山口まりな関 春海田中洋毅趙 丹丹吉村瑶子齋藤真澄小山正人東芝メモリSDM2019-50 ICD2019-15
テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大... [more] SDM2019-50 ICD2019-15
pp.85-88
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