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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
SDM 2008-06-10
10:30
東京 東京大学(生産研 An棟) Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ~ Ruの実効仕事関数変化の起源 ~
森 大樹大田晃生吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズSDM2008-50
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] SDM2008-50
pp.47-52
SDM 2008-06-10
11:20
東京 東京大学(生産研 An棟) TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ~ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ~
大田晃生森 大樹吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズSDM2008-52
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] SDM2008-52
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:10
北海道 函館国際ホテル Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善
門島 勝小川有人高橋正志MIRAI-ASET)・太田裕之MIRAI-ASRC)・三瀬信行岩本邦彦MIRAI-ASET)・右田真司MIRAI-ASRC)・藤原英明佐竹秀喜生田目俊秀MIRAI-ASET)・鳥海 明MIRAI-ASRC/東大
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more] SDM2005-148 ICD2005-87
pp.31-36
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