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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2022-07-29
14:55
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [招待講演]GaN系W級高出力半導体レーザーおよびmW級垂直共振器型面発光レーザー
尾﨑拓也岡久英一郎枡井真吾柳本友弥長濱慎一日亜化学
 [more]
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:25
大阪 大阪市立大学 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
Yoon Seok KimKyout Univ.)・Akio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi MiyoshiShin-ichi NagahamaNichiaED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている.とくに,従来用いられている(0001)極性面と... [more] ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
pp.71-74
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
09:30
京都 京都大学 470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
小島一信船戸 充川上養一京大)・ウルリヒ T シュワルツハラルド ブラウンレーゲンスブルグ大)・長濱慎一向井孝志日亜化学
 [more] ED2006-161 CPM2006-98 LQE2006-65
pp.51-55
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