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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-01-27
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
李 秀妍矢嶋赳彬西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-135
pp.1-4
SDM 2014-06-19
15:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現
矢嶋赳彬二宮裕磨西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-55
pp.65-67
SDM 2014-01-29
09:35
東京 機械振興会館 [招待講演]2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱
長汐晃輔金山 薫西村知紀鳥海 明東大
 [more] SDM2013-135
pp.1-4
SDM 2014-01-29
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察
李 忠賢西村知紀田畑俊行魯 辞莽張 文峰長汐晃輔鳥海 明東大
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する. Ge nMOSFETs... [more] SDM2013-136
pp.5-8
SDM 2010-06-22
14:35
東京 東京大学(生産研An棟) GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御
喜多浩之東大/JST)・王 盛凱李 忠賢吉田まほろ東大)・西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大/JST
 [more] SDM2010-43
pp.55-60
SDM 2009-06-19
13:00
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JST
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] SDM2009-32
pp.33-38
OME 2008-10-31
14:15
東京 東大本郷 工学部6号館3階セミナー室A 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上
横山孝理朴 昌範長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大
 [more] OME2008-53
pp.15-20
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