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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
pp.19-22
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
09:30
大阪 大阪市立大学 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
神野大樹岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・江夏悠貴長尾 哲三菱化学ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
(10-10) GaNや(20-21) GaN,(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
pp.51-54
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:55
愛知 名古屋工業大学 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価
小林 篤上野耕平下元一馬太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST)・天内英貴長尾 哲堀江秀善三菱化学ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
pp.17-20
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