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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-11 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して ○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ）  SDM2022-71 |
シリコン（Si）イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1)．それ以下の時間分解能をスーパー時間分解（S... [more] | SDM2022-71 pp.32-39 |
| SDM | 2022-11-11 17:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ReRAMのサイクル変動特性の評価とモデリング ○吉本将馬・竹森聖起・鎌倉良成（阪工大） SDM2022-78 |
ReRAM電気特性のスイッチングサイクル毎の変動を多数回にわたり測定し，データを解析することで素子内部状態を特徴づける諸... [more] | SDM2022-78 pp.68-72 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］放射加熱／冷却を利用した環境発電装置の実装、評価、解析 ○鎌倉良成・港 恭哉・藤田悠摩・鈴木悠平（阪工大） ED2022-7 CPM2022-1 SDM2022-14 |
放射加熱／冷却を利用した環境発電IoTセンシングシステムの実装評価，および等価回路モデルを用いた解析結果について報告する... [more] | ED2022-7 CPM2022-1 SDM2022-14 pp.1-4 |
| SDM | 2021-11-12 16:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Physics Informed Neural Networksを用いたシリコンナノワイヤ中のフォノン輸送解析 ○藤田悠摩・鈴木悠平・鎌倉良成（阪工大） SDM2021-66 |
偏微分方程式の近似解を求めることができるPhysics Informed Neural Networks (PINNs)... [more] | SDM2021-66 pp.72-76 |
| SDM | 2021-11-12 17:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定 ○赤澤光平・中西唯吾・鈴木悠平・鎌倉良成（阪工大） SDM2021-67 |
機械学習を用いたMOSFETのSPICEパラメータ推定手法について検討を行った．BSIM4で用いられるパラメータをランダ... [more] | SDM2021-67 pp.77-80 |
| SDM | 2020-11-19 16:45 |
ONLINE | オンライン開催 | モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析 ○鈴木悠平・藤田悠摩（阪工大）・ファウジア ホティマトゥル・野北崇人・池田浩也（静岡大）・渡邉孝信（早大）・鎌倉良成（阪工大） SDM2020-28 |
[more] | SDM2020-28 pp.28-31 |
| SDM | 2019-11-07 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2019 SISPADレビュー ○鎌倉良成（阪工大） SDM2019-68 |
半導体プロセス・デバイスシミュレーション分野の専門国際会議であるInternational Conference on ... [more] | SDM2019-68 pp.1-3 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察 ○鈴木悠平・ホティマトゥル ファウジア（静岡大）・鎌倉良成（阪工大）・渡邉孝信（早大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・池田浩也（静岡大） ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8 |
[more] | ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8 pp.1-4 |
| SDM | 2016-11-11 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2016 レビュー (2) ○鎌倉良成（阪大） SDM2016-84 |
[more] | SDM2016-84 pp.33-36 |
| SDM | 2015-11-05 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 ○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大） SDM2015-86 |
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレク... [more] | SDM2015-86 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 14:15 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数 ○池田浩也・ベラッパン マニムス・ムスサミ オンプラカシュ・鈴木悠平・ファイズ サレ・ムカンナン アリバナンドハン（静岡大）・鎌倉良成（阪大）・早川泰弘（静岡大） ED2014-139 SDM2014-148 |
我々は，熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して，熱電変換材料の特性向上の研究を行なっ... [more] | ED2014-139 SDM2014-148 pp.7-11 |
| SDM | 2015-01-27 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 ○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大） SDM2014-139 |
[more] | SDM2014-139 pp.17-20 |
| SDM | 2014-11-07 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大） SDM2014-105 |
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] | SDM2014-105 pp.53-58 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2014-07-03 13:30 |
島根 | 出雲市(島根県) | モンテカルロデバイスシミュレーション法を用いた高速撮像素子の解析 ○鎌倉良成（阪大）・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大） ICD2014-23 |
[more] | ICD2014-23 pp.23-27 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| SDM | 2013-11-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析 ○インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2013-112 |
[more] | SDM2013-112 pp.71-76 |
| SDM | 2012-11-15 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ 量子輸送，新材料，原子・分子モデリング，その他 ～ ○鎌倉良成（阪大） SDM2012-98 |
[more] | SDM2012-98 pp.1-4 |
| SDM | 2012-11-16 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算 ○渡辺龍太・鎌倉良成（阪大） SDM2012-106 |
[more] | SDM2012-106 pp.37-42 |
| SDM | 2012-11-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション ○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2012-109 |
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり，集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている．そこで本研... [more] | SDM2012-109 pp.53-58 |
| SDM | 2011-12-16 14:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング ○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2011-142 |
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)のオーバーシュートドレイン電流の測定を行い、ターンオン過渡特性の... [more] | SDM2011-142 pp.53-58 |
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