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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト ○全 智禧・鈴木陽洋・柴山茂久・財満鎭明・中塚 理（名大）  SDM2019-26 |
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor... [more] | SDM2019-26 pp.5-9 |
| SDM | 2017-02-06 11:15 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成 ○中塚 理（名大）・渡部佳優（東京エレクトロン）・鈴木陽洋（名大）・西 義雄（Stanford大）・財満鎭明（名大） SDM2016-141 |
[more] | SDM2016-141 pp.11-15 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
| SDM | 2014-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 ○鈴木陽洋・朝羽俊介・横井 淳・黒澤昌志・加藤公彦・坂下満男・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-45 |
[more] | SDM2014-45 pp.11-16 |
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