電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 5件中 1~5件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:20
愛知 名古屋大学 VBL3F 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト
全 智禧鈴木陽洋柴山茂久財満鎭明中塚 理名大
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor... [more] SDM2019-26
pp.5-9
SDM 2017-02-06
11:15
東京 東京大学/本郷 [招待講演]低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成
中塚 理名大)・渡部佳優東京エレクトロン)・鈴木陽洋名大)・西 義雄Stanford大)・財満鎭明名大
 [more] SDM2016-141
pp.11-15
SDM 2015-06-19
14:35
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] SDM2015-49
pp.57-61
SDM 2015-03-02
11:35
東京 機械振興会館 [招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
中塚 理鄧 云生鈴木陽洋坂下満男田岡紀之財満鎭明名大
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] SDM2014-165
pp.17-22
SDM 2014-06-19
10:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋朝羽俊介横井 淳黒澤昌志加藤公彦坂下満男田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
 [more] SDM2014-45
pp.11-16
 5件中 1~5件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会