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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
PRMU, CNR
(共催)
2019-03-01
14:00
徳島 徳島大学 消失点を利用した角度の算出に基づくカメラキャリブレーション
宇都木修一サレジオ高専)・鈴木 寿中大
非線形の最小二乗問題となるカメラキャリブレーションにおいては,誤差の影響をできるだけ排除したカメラの回転行列の正確な取得... [more] PRMU2018-132 CNR2018-55
pp.99-104
ED 2016-07-23
14:25
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ
鈴木寿一Son Phuong Le宇井利昌Tuan Quy NguyenHong-An Shih北陸先端大
 [more] ED2016-28
pp.5-9
ED 2015-07-24
14:30
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ
鈴木寿一Son Phuong LeTuan Quy NguyenHong-An Shih北陸先端大
 [more] ED2015-39
pp.15-20
ED 2013-08-08
15:30
富山 富山大学工学部 大会議室 [招待講演]容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析
鈴木寿一Hong-An Shih工藤昌宏北陸先端大
 [more] ED2013-40
pp.15-18
ED 2013-08-08
16:20
富山 富山大学工学部 大会議室 スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用
山本裕司Tuan Quy NguyenHong-An Shih工藤昌宏鈴木寿一北陸先端大
 [more] ED2013-41
pp.19-23
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
14:00
東京 機械振興会館 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大)・鈴木寿一北陸先端大
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での... [more] OPE2013-10 LQE2013-20
pp.19-22
ED 2011-07-29
15:45
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果
工藤昌宏Hong-An Shih赤堀誠志鈴木寿一北陸先端大
 [more] ED2011-42
pp.25-30
ED 2010-06-17
13:25
石川 北陸先端大 フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価
滝田隼人橋本紀彦工藤昌宏赤堀誠志鈴木寿一北陸先端大
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waa... [more] ED2010-34
pp.5-9
ED 2010-06-17
14:25
石川 北陸先端大 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析
鈴木寿一田中成明北陸先端大
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] ED2010-36
pp.17-20
ED 2009-06-12
09:55
東京 東京工業大学 InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性
赤堀誠志北陸先端大/ユーリッヒ研)・Thanh Quang Trinh工藤昌宏北陸先端大)・Thomas SchaepersHilde Hardtdegenユーリッヒ研)・鈴木寿一北陸先端大
 [more] ED2009-45
pp.47-50
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
11:15
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]Narrow-gap III-V Semiconductor Technology: Lattice-Mismatched Growth and Epitaxial Lift-off for Heterogeneous Integration
Toshi-kazu SuzukiJAIST
Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs... [more] ED2008-40 SDM2008-59
pp.3-8
ED 2008-06-13
13:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
田中成明北陸先端大)・住田行常河合弘治パウデック)・鈴木寿一北陸先端大
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] ED2008-22
pp.1-4
ED 2008-06-14
10:15
石川 金沢大学 角間キャンパス エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積
滝田隼人工藤昌宏田中成明鈴木寿一北陸先端大
InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上への... [more] ED2008-35
pp.73-76
ED 2007-06-15
14:25
富山 富山大学 InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付
滝田隼人Jeong Yonkil有田潤哉鈴木寿一北陸先端大
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] ED2007-34
pp.17-20
ED 2007-06-16
10:35
富山 富山大学 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
田中成明北陸先端大)・住田行常パウデック)・鈴木寿一北陸先端大
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] ED2007-43
pp.67-70
MoNA 2005-09-09
15:00
京都 けいはんなNICT 放送と通信の特性を生かした1セグデータ放送コンテンツの応用 ~ CM連動データ放送試作コンテンツの概要 ~
安藤聖泰鈴木寿晃浦野丈治日本テレビ
地上デジタル放送携帯向け1セグメントサービスは,2005年度末放送開始予定である.いつでもどこでもテレビ視聴が楽しめるだ... [more] MoMuC2005-52
pp.121-125
IT, WBS, ISEC
(共催)
2005-03-18
15:55
京都 京大 算術演算を用いたデータ可変長暗号化
藤内 剛鈴木 寿中大
算術符号を応用して,任意の二元データ系列全体を,可変長の$\:1$ブロックからなる平文とみなし,これを可変長の暗号文へ変... [more] IT2004-87 ISEC2004-143 WBS2004-202
pp.89-94
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