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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NEC
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
14:10
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NEC
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] SDM2009-114 ICD2009-30
pp.91-95
ICD 2009-04-13
14:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
杉林直彦根橋竜介崎村 昇本庄弘明斉藤信作NEC)・伊藤雄一NECエレクトロニクス)・三浦貞彦加藤有光森 馨NEC)・尾崎康亮小林洋介NECエレクトロニクス)・大嶋則和木下啓藏鈴木哲広永原聖万NEC
 [more] ICD2009-3
pp.13-17
ICD 2006-04-14
09:30
大分 大分大学 4MbMRAMとその応用
杉林直彦本田雄士崎村 昇永原聖万三浦貞彦志村健一辻 清孝福本能之本庄弘明鈴木哲広加藤有光齋藤信作笠井直記沼田秀昭大嶋則和NEC
開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24... [more] ICD2006-12
pp.63-67
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