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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2017-12-01 09:20 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | プラズマ融合CMPによる大型ダイヤモンド基板の高効率加工とその加工メカニズム ○武田秀俊（並木精密宝石）・土肥俊郎（九大）・金 聖祐（並木精密宝石）・會田英雄（長岡技科大）・白谷正治（九大）  OME2017-35 |
次世代半導体材料として知られるSiC，GaN，ダイヤモンドは，同時にCMP工程における超難加工材料としても知られている．... [more] | OME2017-35 pp.1-6 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-21 10:00 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | GaN基板のプラズマ融合CMPプロセス ～ エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価 ～ ○山崎直樹（九大/並木精密宝石）・土肥俊郎（九大）・曾田英雄（九大/並木精密宝石）・金 聖祐・大山幸希（並木精密宝石）・黒河周平（九大）・佐野泰久（阪大）・白谷正治・山西陽子（九大） SDM2017-5 OME2017-5 |
[more] | SDM2017-5 OME2017-5 pp.19-23 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 16:40 |
滋賀 | 立命館大学 | Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金 聖祐・鈴木敏正（日本工大） |
Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、... [more] | ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62 pp.79-84 |
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