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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMC
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
ICD 2012-04-23
12:30
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発
柴田 昇神田和重久田俊記磯部克明佐藤 学清水有威清水孝洋杉本貴宏小林智浩犬塚和子金川直晃梶谷泰之小川武志中井 潤東芝)・亀井輝彦サンディスク
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ... [more] ICD2012-1
pp.1-5
ICD 2011-04-18
13:30
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発
福田浩一渡辺慶久牧野英一川上浩一佐藤順平高際輝男金川直晃志賀 仁常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭小川武志岩井 信東芝)・櫻井清史東芝メモリシステムズ)・三輪 達サンディスク
14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NA... [more] ICD2011-4
pp.19-26
ICD 2009-04-14
13:00
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ
二山拓也藤田憲浩常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク)・岩井 信加藤光司福田康之金川直晃安彦尚文東芝)・松本雅英サンディスク)・姫野敏彦橋本寿文東芝
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微... [more] ICD2009-8
pp.39-42
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