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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大）  ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 pp.85-88 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 15:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 ○赤岩和明・市野邦男（鳥取大）・金子健太郎・藤田静雄（京大） ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95 |
[more] | ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95 pp.107-111 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 pp.27-30 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 15:55 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | デバイス応用に向けたコランダム構造酸化物半導体の電気特性評価 ○金子健太郎・鈴木規央・李 三東・北島雅士・赤岩和明・藤田静雄（京大） |
コランダム構造をもつ酸化物は現在のところ8種類存在するが, その中でも電気伝導性を有するものは少ない. α-In2O3は... [more] | |
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