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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2018-03-01
14:45
東京 東京工科大学 低温イットリア原子層堆積法の開発
齋藤健太郎野老健太郎鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大CPM2017-120
 [more] CPM2017-120
pp.19-22
CPM 2017-07-22
11:15
北海道 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 室温原子層堆積法を用いた酸化ニオブの試作と評価
野老健太郎鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大CPM2017-37
LSI分野において酸化ニオブは高誘電率ゲート絶縁膜としての利用が期待されている。一般に酸化ニオビウムは熱原子層堆積法を用... [more] CPM2017-37
pp.85-88
ED 2017-04-20
15:25
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 室温原子層堆積法を用いたSnO2膜作製およびデバイス応用
齊藤俊介野老健太郎鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大ED2017-5
酸化スズ(SnO2)を用いたガスセンサは大半が焼結形であるために、粒径分布による特性のばらつきが生じやすく、また粒径に対... [more] ED2017-5
pp.17-20
ED 2016-04-22
11:30
山形 山形大学工学部 有機EL研究センター 4F大会議室 プラズマ励起法を用いた室温原子層堆積法によるZrO2の試作と評価
野老健太郎鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大ED2016-12
LSI分野において酸化ジルコニウムは高誘電率ゲート絶縁膜としての利用が期待されている。一般に酸化ジルコニウムは熱原子層堆... [more] ED2016-12
pp.47-50
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