| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大）  SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| SDM | 2018-06-25 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質 ○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎 聡（産総研）・野平博司（東京都市大） |
[more] | |
| SDM | 2014-10-17 10:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | 角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 ○笹子知弥・山堀俊太・野平博司（東京都市大） SDM2014-90 |
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃～850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を... [more] | SDM2014-90 pp.35-39 |
| SDM | 2012-10-25 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 ○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大） SDM2012-90 |
我々は、SPring-8のBL27SUでSiO2/SiCの角度分解X線光電子分光(AR-XPS)測定とエッチングにより酸... [more] | SDM2012-90 pp.5-9 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| SDM | 2011-10-21 09:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 ○野平博司・小松 新・那須賢太郎・星 裕介・榑林 徹・澤野憲太郎（東京都市大）・マクシム ミロノフ（Warwick大）・白木靖寛（東京都市大） SDM2011-103 |
Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が，HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si ... [more] | SDM2011-103 pp.37-41 |
| SDM | 2011-10-21 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 ○沼尻侑也・山下晃司・小松 新（東京都市大）・ザデ ダリューシュ・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・野平博司（東京都市大） SDM2011-106 |
我々はHF，自然酸化，(NH4)2S，またはHMDS(Hexamethydisilazane)という表面処理がIn0.5... [more] | SDM2011-106 pp.53-58 |
| SDM | 2011-07-04 11:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 ○石原由梨（芝浦工大）・渋谷寧浩・五十嵐 智（東京都市大）・小林大輔（JAXA）・野平博司（東京都市大）・上野和良（芝浦工大）・廣瀬和之（JAXA） SDM2011-55 |
「シリコンテクノロジー分科会研究集会発表」 MOSFETの微細化に伴うゲート酸化膜の薄膜化によるSiO2/Si界面近傍... [more] |
SDM2011-55 pp.29-34 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2007-06-08 09:00 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2007-39 |
マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に... [more] | SDM2007-39 pp.43-48 |
| SDM | 2006-06-22 09:50 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 ○樋口正顕（東北大）・品川誠治（武蔵工大）・寺本章伸（東北大）・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（東北大/武蔵工大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・須川成利・大見忠弘（東北大） |
[more] | SDM2006-54 pp.71-76 |
| SDM | 2006-06-22 15:05 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 ○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2... [more] | SDM2006-63 pp.119-124 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]