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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 270nm帯深紫外LEDの大面積形成
美濃卓哉理研/パナソニック)・平山秀樹理研)・野口憲路高野隆好椿 健治理研/パナソニックED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117
AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い,2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した.アンモニアパ... [more] ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117
pp.83-86
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
12:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発
美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好野口憲路椿 健治理研/パナソニック電工ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116
深紫外発光ダイオード(深紫外LED)市場の拡大が予想されていることから,我々は,深紫外LEDの低コスト化を目指し,2イン... [more] ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116
pp.103-106
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
17:15
愛知 名古屋工業大学 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化
野口憲路理研/埼玉大/JST)・平山秀樹理研/JST)・乗松 潤理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JSTED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111
波長210nm~350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に25... [more] ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111
pp.71-76
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
17:40
愛知 名古屋工業大学 ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED
乗松 潤平山秀樹藤川紗千恵野口憲路理研/埼玉大/JST)・高野隆好理研/パナソニック電工)・椿 健治理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JSTED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
pp.77-82
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