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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SANE 2011-05-20
15:00
神奈川 防衛大学校 L帯GaN送受信モジュールの高出力化に関する研究
入江寿憲林 寛貴清水貴之佐藤玲司防衛省)・藤井孝郎富士通システム統合研)・赤瀬川章彦重松寿生天辰松次森脇正生富士通SANE2011-13
 [more] SANE2011-13
pp.19-23
MW 2009-09-25
15:15
東京 電通大 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研MW2009-86
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] MW2009-86
pp.73-78
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京 機械振興会館 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研ED2008-218 MW2008-183
 [more] ED2008-218 MW2008-183
pp.113-118
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
15:20
大阪 中央電気倶楽部 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
井上雄介増田 哲金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英原 直紀重松寿生常信和清富士通研R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
 [more] R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
pp.27-31
MW, ED
(共催)
2005-01-18
15:50
東京 機械振興会館 広帯域整合技術を用いた90GHzInP-HEMT抵抗整合型増幅器
井上雄介佐藤 優多木俊裕牧山剛三高橋 剛重松寿生廣瀬達哉富士通研
 [more] ED2004-224 MW2004-231
pp.71-76
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