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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
11:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究
谷本 勝酒井士郎徳島大ED2011-76 CPM2011-125 LQE2011-99
 [more] ED2011-76 CPM2011-125 LQE2011-99
pp.15-18
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
14:15
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長
大西裕也堀江郁哉酒井士郎徳島大ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119
有機金属気相成長(MOCVD)法を用い,Sapphire基板上にトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3),メタン(CH... [more] ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119
pp.117-120
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:00
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長
原 航平直井美貴酒井士郎徳島大ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107
サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて成長したGaN上にタンタル(Ta)マスクを形成し,再度,MOC... [more] ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107
pp.1-4
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
18:00
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) GaN系表面ナノ構造光検出器
張 晶直井美貴酒井士郎徳島大)・深野敦之田中 覚SCIVAXED2009-146 CPM2009-120 LQE2009-125
 [more] ED2009-146 CPM2009-120 LQE2009-125
pp.85-89
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
13:10
愛知 名古屋工業大学 ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性
遠野充明張 晶直井美貴酒井士郎徳島大)・和地順蔵SCIVAXED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102
ナノインプリント技術および反応性イオンエッチング(RIE)を用いて,p-GaN上に正三角形状に配置した周期的円柱パターン... [more] ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102
pp.29-32
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