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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2010-06-22
13:25
東京 東京大学(生産研An棟) 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性
古田和也竹内和歌奈坂下満男近藤博基中塚 理財満鎭明名大SDM2010-40
 [more] SDM2010-40
pp.39-42
SDM 2009-06-19
13:20
東京 東京大学(生産研An棟) ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
加藤公彦近藤博基坂下満男財満鎭明名大SDM2009-33
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] SDM2009-33
pp.39-44
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
SDM 2009-06-19
16:20
東京 東京大学(生産研An棟) Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
近藤博基古田和也松井裕高坂下満男財満鎭明名大SDM2009-41
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い,ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] SDM2009-41
pp.81-85
SDM 2008-06-10
13:10
東京 東京大学(生産研 An棟) MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
近藤博基櫻井晋也名大)・酒井 朗阪大)・小川正毅財満鎭明名大SDM2008-54
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] SDM2008-54
pp.71-75
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