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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2023-08-04
15:20
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [招待講演]伸縮可能なディフォーマブルディスプレーのバックプレーン技術の開発
宮川幹司辻 博史武井達哉NHK)・山本敏裕NHK財団)・藤崎好英中田 充NHK
 [more]
SDM, OME
(共催)
2020-04-14
11:10
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発
辻 博史中田 充武井達哉宮川幹司中嶋宜樹清水貴央NHK
薄くて軽く,柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして,プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more]
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:02
静岡 静岡大学 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
辻 博史中田 充佐藤弘人中嶋宜樹藤崎好英武井達哉山本敏裕藤掛英夫NHK
 [more]
SDM 2011-12-16
14:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング
太田俊史辻 博史鎌倉良成谷口研二阪大SDM2011-142
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)のオーバーシュートドレイン電流の測定を行い、ターンオン過渡特性の... [more] SDM2011-142
pp.53-58
SDM 2009-12-04
11:20
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価
鎌倉良成阪大)・日昔 崇阪大/関西大)・辻 博史谷口研二阪大SDM2009-157
nチャネル低温ポリシリコンTFTのオフ領域で観測されたId-Vg特性のヒステリシス現象について、その発生条件を調査すると... [more] SDM2009-157
pp.35-38
SDM 2009-11-12
14:40
東京 機械振興会館 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
辻 博史阪大/JST)・鎌倉良成谷口研二阪大SDM2009-138
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する.poly-Si TFTの緩... [more] SDM2009-138
pp.19-22
SDM 2007-12-14
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析
葛岡 毅辻 博史桐原正治鎌倉良成谷口研二阪大SDM2007-225
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について,2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った... [more] SDM2007-225
pp.15-18
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