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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RECONF 2021-06-09
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シミュレーテッド分岐アルゴリズムのFPGAアクセラレータによるリアルタイムシステムにおける大規模組合せ最適化
辰村光介東芝RECONF2021-11
組合せ最適化は,計算機科学におけるNP困難問題として知られる一方,経済的に重要な問題である.多くの実用の組合せ最適化がイ... [more] RECONF2021-11
pp.56-61
ICD 2017-04-21
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路
安田心一小田聖翔松本麻里辰村光介財津光一郎何 英豪小野瑞城東芝ICD2017-15
 [more] ICD2017-15
pp.79-83
SDM 2015-10-29
16:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA
財津光一郎辰村光介松本麻里小田聖翔安田心一東芝SDM2015-75
従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが,これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより... [more] SDM2015-75
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
11:15
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA
財津光一郎辰村光介松本麻里小田聖翔藤田 忍安田心一東芝SDM2014-75 ICD2014-44
フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する.1つはMONOS型フラッシュ... [more] SDM2014-75 ICD2014-44
pp.71-76
SDM 2012-11-15
15:20
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
陳 杰智平野 泉辰村光介三谷祐一郎東芝SDM2012-103
近年,さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] SDM2012-103
pp.21-24
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:50
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝SDM2009-107 ICD2009-23
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] SDM2009-107 ICD2009-23
pp.53-56
SDM 2009-06-19
15:40
東京 東京大学(生産研An棟) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝SDM2009-39
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] SDM2009-39
pp.71-76
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:05
東京 機械振興会館 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝SDM2008-147 ICD2008-57
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] SDM2008-147 ICD2008-57
pp.109-114
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
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