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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2017-04-21 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 超伝導デジタル回路応用に向けた磁性ジョセフソン接合の作製 ○神谷智大・栗原卓也・谷口壮耶・伊藤 大・赤池宏之・藤巻 朗（名大）  SCE2017-4 |
我々は、 ジョセフソン接合に磁性薄膜を導入した、超伝導体/磁性体/絶縁体/超伝導体（SFIS）の構造を持つ接合を作製して... [more] | SCE2017-4 pp.17-22 |
| SCE | 2016-10-27 11:40 |
宮城 | 東北大学 | 2次元直列接続超伝導細線検出器アレイによるイメージセンシングシステムの構築 ○神谷恭平・上阪 岬・内藤亮介・田中雅光（名大）・Ali Bozbey（TOBB ETU）・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2016-38 |
[more] | SCE2016-38 pp.53-58 |
| SCE | 2015-08-04 13:55 |
神奈川 | 横浜国立大学 | 磁性体パターンを用いたプログラマブル単一磁束量子論理セルの設計と評価 ○谷口壮耶・伊藤 大・石川航太・黒川綜太・田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2015-9 |
我々は単一磁束量子(SFQ)回路を用いたプログラマブル回路の実現のため、磁性体パターンを用いた超伝導位相シフタに基づくプ... [more] | SCE2015-9 pp.5-10 |
| SCE | 2014-01-24 15:05 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | PdNi合金薄膜パターンを有するSQUIDの電気的特性 ○谷口壮耶・伊藤 大・石川航太・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2013-55 |
我々はSQUID上にPdNi合金薄膜パターンを持つ構造のデバイスを作製し、PdNi合金パターンがSQUIDの電気的特性に... [more] | SCE2013-55 pp.117-121 |
| SCE | 2012-10-25 13:50 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | 磁性ナノ粒子薄膜を形成したSQUIDの閾値特性と共振ステップ ○伊藤 大・奥村崇之・谷口壮耶・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2012-19 |
本誌では、磁性ナノ粒子膜を形成したSQUIDのインダクタンス変化のナノ粒子膜厚依存性及び共振ステップについて述べる。磁性... [more] | SCE2012-19 pp.13-18 |
| SCE | 2011-10-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答 ○矢野 峻・奥村崇之・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2011-14 |
本誌では、磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答について述べる。我々は単一磁束量子(SFQ)回路の高性能化... [more] | SCE2011-14 pp.13-17 |
| SCE | 2011-10-12 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善 ○舩井辰則・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2011-15 |
本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。こ... [more] | SCE2011-15 pp.19-24 |
| SCE | 2011-10-12 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | 大規模SFQ回路のためのNb多層アドバンストプロセスの開発 ○永沢秀一・日野出憲治・佐藤哲朗・日高睦夫（超電導工学研）・藤巻 朗・赤池宏之（名大）・吉川信行（横浜国大）・高木一義・高木直史（京大） SCE2011-18 |
大規模SFQ回路の開発を目的として、臨界電流密度10kA/cm2のNb多層アドバンストプロセス（ADP）を開発し、そのプ... [more] | SCE2011-18 pp.37-42 |
| SCE | 2010-10-19 11:05 |
東京 | 機械振興会館 | プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性 ○内藤直生人・船井辰則・丸山千風・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2010-26 |
[more] | SCE2010-26 pp.13-18 |
| SCE | 2010-10-19 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響 ○御田村直樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大）・新原佳紘・内藤方夫（東京農工大） SCE2010-28 |
本研究ではNbN及びMgB2グラウンドプレーンに形成したモートによる磁束トラップへの影響を調査した．その影響はNb、Nb... [more] | SCE2010-28 pp.25-30 |
| SCE | 2010-10-19 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析 ○堤 早希・御田村直樹・赤池宏之・井上真澄・藤巻 朗（名大） SCE2010-29 |
[more] | SCE2010-29 pp.31-36 |
| SCE | 2010-10-19 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証 ○岡田将和・カタエバ イリナ・伊藤将人・田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗（名大/JST）・吉川信行（横浜国大/JST）・永沢秀一（国際超電導産技研センター/JST）・高木直史（京大/JST） SCE2010-33 |
我々は、ISTEC 10 kA/cm2 Nbアドバンストプロセス(ADP)を用いて単一磁束量子(SFQ)回路による再構成... [more] | SCE2010-33 pp.55-60 |
| SCE | 2010-07-22 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討 ○田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗・高木一義（名大/JST）・吉川信行（横浜国大/JST）・永沢秀一（SRL/JST）・高木直史（京大/JST） SCE2010-20 |
[more] | SCE2010-20 pp.37-40 |
| SCE | 2010-07-22 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | ISTEC 10-kA/cm2 Nbアドバンストプロセス2を用いた4x4スイッチの動作実証 ○伊藤将人・カタエバ イリーナ・岡田将和・纐纈智仁・田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2010-21 |
本稿では、ISTECアドバンストプロセス２(ADP2)を用いて作製した 4x4 スイッチ回路の動作評価結果を示す． 動... [more] |
SCE2010-21 pp.41-46 |
| SCE | 2010-07-22 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価 ○纐纈智仁・赤池宏之・藤巻 朗（名大）・佐藤哲朗・日野出憲治・永沢秀一・日高睦夫（超電導工学研） SCE2010-23 |
[more] | SCE2010-23 pp.53-58 |
| SCE | 2009-10-20 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | A clock line for a Large Scale Reconfigurable Data Paths Processor ○Irina Kataeva・Hiroyuki Akaike・Akira Fujimaki（Nagoya Univ.v） SCE2009-18 |
[more] | SCE2009-18 pp.7-11 |
| SCE | 2009-07-21 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の評価 ○御田村直樹・丸山千風・赤池宏之・藤巻 朗（名大）・石井林太郎・新原佳紘・内藤方夫（東京農工大） SCE2009-12 |
アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の作製及び評価を行った。障壁層としてアモルファスボロンおよびアモ... [more] | SCE2009-12 pp.19-23 |
| SCE | 2009-07-21 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製 ○長井友樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2009-14 |
本誌では、NbN接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその接合の諸特性について述べる。このプラズマ窒化... [more] | SCE2009-14 pp.29-33 |
| SCE | 2008-10-30 16:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所(つくば） | Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討 ○藤原 完・永沢秀一・日高睦夫（超電導工学研/JST）・吉川信行（横浜国大/JST）・田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗・高木一義・高木直史（名大/JST） SCE2008-31 |
[more] | SCE2008-31 pp.51-56 |
| SCE | 2008-01-25 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発 ○赤池宏之・金田亮平・長井友樹・藤巻 朗（名大） |
本論文では、将来の単一磁束量子（SFQ）回路用接合技術として現在検討を進めている窒化ニオブ（NbN）を用いた4K動作セル... [more] | SCE2007-27 pp.13-18 |
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