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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2017-04-21
11:15
東京 機械振興会館 超伝導デジタル回路応用に向けた磁性ジョセフソン接合の作製
神谷智大栗原卓也谷口壮耶伊藤 大赤池宏之藤巻 朗名大SCE2017-4
我々は、 ジョセフソン接合に磁性薄膜を導入した、超伝導体/磁性体/絶縁体/超伝導体(SFIS)の構造を持つ接合を作製して... [more] SCE2017-4
pp.17-22
SCE 2016-10-27
11:40
宮城 東北大学 2次元直列接続超伝導細線検出器アレイによるイメージセンシングシステムの構築
神谷恭平上阪 岬内藤亮介田中雅光名大)・Ali BozbeyTOBB ETU)・赤池宏之藤巻 朗名大SCE2016-38
 [more] SCE2016-38
pp.53-58
SCE 2015-08-04
13:55
神奈川 横浜国立大学 磁性体パターンを用いたプログラマブル単一磁束量子論理セルの設計と評価
谷口壮耶伊藤 大石川航太黒川綜太田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大SCE2015-9
我々は単一磁束量子(SFQ)回路を用いたプログラマブル回路の実現のため、磁性体パターンを用いた超伝導位相シフタに基づくプ... [more] SCE2015-9
pp.5-10
SCE 2014-01-24
15:05
東京 機械振興会館地下3階2号室 PdNi合金薄膜パターンを有するSQUIDの電気的特性
谷口壮耶伊藤 大石川航太赤池宏之藤巻 朗名大SCE2013-55
我々はSQUID上にPdNi合金薄膜パターンを持つ構造のデバイスを作製し、PdNi合金パターンがSQUIDの電気的特性に... [more] SCE2013-55
pp.117-121
SCE 2012-10-25
13:50
東京 機械振興会館地下3階1号室 磁性ナノ粒子薄膜を形成したSQUIDの閾値特性と共振ステップ
伊藤 大奥村崇之谷口壮耶赤池宏之藤巻 朗名大SCE2012-19
本誌では、磁性ナノ粒子膜を形成したSQUIDのインダクタンス変化のナノ粒子膜厚依存性及び共振ステップについて述べる。磁性... [more] SCE2012-19
pp.13-18
SCE 2011-10-12
13:50
東京 機械振興会館 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答
矢野 峻奥村崇之赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-14
本誌では、磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答について述べる。我々は単一磁束量子(SFQ)回路の高性能化... [more] SCE2011-14
pp.13-17
SCE 2011-10-12
14:15
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善
舩井辰則内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-15
本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。こ... [more] SCE2011-15
pp.19-24
SCE 2011-10-12
15:40
東京 機械振興会館 大規模SFQ回路のためのNb多層アドバンストプロセスの開発
永沢秀一日野出憲治佐藤哲朗日高睦夫超電導工学研)・藤巻 朗赤池宏之名大)・吉川信行横浜国大)・高木一義高木直史京大SCE2011-18
大規模SFQ回路の開発を目的として、臨界電流密度10kA/cm2のNb多層アドバンストプロセス(ADP)を開発し、そのプ... [more] SCE2011-18
pp.37-42
SCE 2010-10-19
11:05
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性
内藤直生人船井辰則丸山千風赤池宏之藤巻 朗名大SCE2010-26
 [more] SCE2010-26
pp.13-18
SCE 2010-10-19
13:15
東京 機械振興会館 NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響
御田村直樹内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大)・新原佳紘内藤方夫東京農工大SCE2010-28
本研究ではNbN及びMgB2グラウンドプレーンに形成したモートによる磁束トラップへの影響を調査した.その影響はNb、Nb... [more] SCE2010-28
pp.25-30
SCE 2010-10-19
13:40
東京 機械振興会館 TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
堤 早希御田村直樹赤池宏之井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-29
 [more] SCE2010-29
pp.31-36
SCE 2010-10-19
15:35
東京 機械振興会館 10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証
岡田将和カタエバ イリナ伊藤将人田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一国際超電導産技研センター/JST)・高木直史京大/JSTSCE2010-33
我々は、ISTEC 10 kA/cm2 Nbアドバンストプロセス(ADP)を用いて単一磁束量子(SFQ)回路による再構成... [more] SCE2010-33
pp.55-60
SCE 2010-07-22
13:15
東京 機械振興会館 バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討
田中雅光赤池宏之藤巻 朗高木一義名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一SRL/JST)・高木直史京大/JSTSCE2010-20
 [more] SCE2010-20
pp.37-40
SCE 2010-07-22
13:40
東京 機械振興会館 ISTEC 10-kA/cm2 Nbアドバンストプロセス2を用いた4x4スイッチの動作実証
伊藤将人カタエバ イリーナ岡田将和纐纈智仁田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大SCE2010-21
本稿では、ISTECアドバンストプロセス2(ADP2)を用いて作製した 4x4 スイッチ回路の動作評価結果を示す.
動... [more]
SCE2010-21
pp.41-46
SCE 2010-07-22
14:30
東京 機械振興会館 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価
纐纈智仁赤池宏之藤巻 朗名大)・佐藤哲朗日野出憲治永沢秀一日高睦夫超電導工学研SCE2010-23
 [more] SCE2010-23
pp.53-58
SCE 2009-10-20
13:25
東京 機械振興会館 A clock line for a Large Scale Reconfigurable Data Paths Processor
Irina KataevaHiroyuki AkaikeAkira FujimakiNagoya Univ.vSCE2009-18
 [more] SCE2009-18
pp.7-11
SCE 2009-07-21
14:15
東京 機械振興会館 アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の評価
御田村直樹丸山千風赤池宏之藤巻 朗名大)・石井林太郎新原佳紘内藤方夫東京農工大SCE2009-12
アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の作製及び評価を行った。障壁層としてアモルファスボロンおよびアモ... [more] SCE2009-12
pp.19-23
SCE 2009-07-21
15:15
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製
長井友樹内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大SCE2009-14
本誌では、NbN接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその接合の諸特性について述べる。このプラズマ窒化... [more] SCE2009-14
pp.29-33
SCE 2008-10-30
16:45
茨城 産業技術総合研究所(つくば) Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討
藤原 完永沢秀一日高睦夫超電導工学研/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・田中雅光赤池宏之藤巻 朗高木一義高木直史名大/JSTSCE2008-31
 [more] SCE2008-31
pp.51-56
SCE 2008-01-25
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発
赤池宏之金田亮平長井友樹藤巻 朗名大
本論文では、将来の単一磁束量子(SFQ)回路用接合技術として現在検討を進めている窒化ニオブ(NbN)を用いた4K動作セル... [more] SCE2007-27
pp.13-18
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