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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:35
静岡 静岡大学(浜松) AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
pp.45-48
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:50
静岡 静岡大学(浜松) AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性
小田 薫飯田涼介岩山 章清原一樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
pp.57-60
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
10:30
愛知 名古屋工業大学 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造
小島久範安田俊輝上林大輝飯田一喜小出典克竹内哲也岩谷素顕上山 智赤崎 勇名城大ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
 [more] ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
pp.49-53
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
11:10
愛知 名古屋大学VBL3階 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討
小森大資笹島浩希鈴木智行竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
pp.7-10
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス AlGaN系深紫外LEDの開発
一本松正道平野 光創光科学)・天野 浩名大)・赤崎 勇名城大ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119
 [more] ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119
pp.91-94
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
17:05
愛知 名古屋大学 VBL X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長
田中大樹飯田大輔岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30
 [more] ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30
pp.83-87
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
17:30
愛知 名古屋大学 VBL AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製
矢木康太加賀 充山下浩司竹田健一郎岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の... [more] ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31
pp.89-93
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
09:25
愛知 名古屋大学 VBL III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討
山下浩司加賀 充矢木康太名城大)・鈴木敦志エルシード)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33
pp.99-104
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
09:50
愛知 名古屋大学 VBL 窒化物半導体トンネル接合の作製
加賀 充飯田大輔名城大)・北野 司エルシード)・山下浩司矢木康太岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34
pp.105-110
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
11:40
愛知 名古屋大学 VBL AlGaN量子井戸構造の内部量子効率
山本準一伴 和仁竹田健一郎井手公康岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38
様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評... [more] ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38
pp.127-130
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
16:05
愛知 名古屋大学 VBL 窒化物太陽電池の電極構造検討
山本翔太森田義己桑原洋介藤井崇裕杉山 徹岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46
太陽電池の性能向上には光の取り込み効率の最適化が不可欠であり、本研究ではグリッド電極を用いることによってその向上を目指し... [more] ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46
pp.169-173
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
16:40
愛知 名古屋大学 VBL GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~
杉山貴之本田善央山口雅史天野 浩名大)・磯部康裕押村吉徳岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大)・今出 完北岡康夫森 勇介阪大ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
pp.175-178
OME 2010-01-20
17:10
愛知 名城大学 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価
稲田 シュンコ アルバーノ天野 浩赤崎 勇名城大)・前田 晃森田明理名古屋市大OME2009-86
ピーク波長365nm,半値幅10nmの紫外(UV) LEDを用い,16個×16個(50?×50?)のLEDマトリックス光... [more] OME2009-86
pp.37-41
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
15:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析
永田賢昌飯田大輔永松謙太郎竹田健一郎松原哲也岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池,高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用... [more] ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119
pp.57-60
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
16:10
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) UVレーザダイオードの動作電圧の低減
市川友紀竹田健一郎小木曽裕二永田賢吾岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大)・吉田治正桑原正和山下陽滋菅 博文浜松ホトニクスED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121
?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Lase... [more] ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121
pp.65-69
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
17:10
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化
永田賢吾市川友紀竹田健一郎永松謙太郎岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて,異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化し... [more] ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123
pp.75-80
ED 2009-07-30
16:15
大阪 大阪大学(銀杏会館) p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性
杉山貴之飯田大輔岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大ED2009-108
 [more] ED2009-108
pp.33-37
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
10:50
愛知 名古屋工業大学 p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧
根賀亮平水野克俊岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33
pp.61-66
OME 2008-01-25
16:35
愛知 愛知工業大学 UVA1-LED光線療法の照射装置開発
稲田 シュンコ アルバーノ天野 浩赤崎 勇名城大)・森田明理名古屋市大OME2007-83
 [more] OME2007-83
pp.55-59
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