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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-10-26
09:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ~ 半導体製造の歩留解析支援システム ~
赤堀浩史東芝メモリ)・中田康太折原良平水岡良彰高木健太郎東芝)・門多健一西村孝治田中祐加子江口英孝東芝メモリSDM2017-55
半導体製造における歩留解析では,製品の品質検査結果と各工程の処理装置履歴から不良の原因装置を特定し,対策に繋げることで生... [more] SDM2017-55
pp.31-33
SDM 2010-10-21
17:40
宮城 東北大学 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化
岩鍜治陽子広田 潤矢吹 宗石田浩一金子和香奈水島一郎赤堀浩史東芝SDM2010-158
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] SDM2010-158
pp.31-34
SDM 2009-10-30
13:00
宮城 東北大学 SiO2膜におけるRIEダメージの修復
川田宣仁永嶋賢史市川 徹赤堀浩史東芝SDM2009-129
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE(Reactive Ion Etching)ダメージの影響がよ... [more] SDM2009-129
pp.51-56
SDM 2009-10-30
14:00
宮城 東北大学 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討
永島幸延赤堀浩史東芝SDM2009-131
現在、MOSトランジスタにおいて、微細化が進むにつれて低抵抗電極材として、メタルゲートの利用が注目されている。メタルゲー... [more] SDM2009-131
pp.63-67
SDM 2008-10-10
15:45
宮城 東北大学 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響
永嶋賢史赤堀浩史東芝SDM2008-166
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] SDM2008-166
pp.63-68
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