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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
ED 2015-08-04
12:20
東京 機械振興会館 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性
喜田弘文熊崎祐介谷田部然治佐藤威友北大ED2015-53
分光電気化学測定法を用いて,GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した.構造のもつ大きな表面積と低い光反射率... [more] ED2015-53
pp.51-54
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
 [more] ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
pp.63-66
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
16:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として,電気化学的手法による多孔質構造の形成と,その光学特性の評価を行った.多孔... [more] ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
pp.113-116
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
11:20
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を, pn接合基板に形成した光電流測定素子を用い... [more] ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
pp.61-64
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
15:25
大阪 大阪市立大学 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響
堀 祐臣谷田部然治馬 万程橋詰 保北大ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
pp.37-40
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:25
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価
谷田部然治堀 祐臣金 聖植橋詰 保北大ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
pp.49-52
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:50
北海道 北海道大学 百年記念会館 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
村松 徹・○葛西誠也谷田部然治北大ED2011-157 SDM2011-174
FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積... [more] ED2011-157 SDM2011-174
pp.89-93
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
13:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
金 聖植堀 祐臣谷田部然治橋詰 保北大ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
pp.25-28
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