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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:55
北海道 北海道大学(百年記念会館) Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET
前澤宏一伊藤泰平角田 梓中山幸二安井雄一郎森 雅之富山大)・宮崎英志水谷 孝名大ED2012-135 SDM2012-164
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] ED2012-135 SDM2012-164
pp.39-42
ED 2011-07-30
13:55
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製
角田 梓岩杉達矢中谷公彦中山幸二森 雅之前澤宏一富山大ED2011-55
我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] ED2011-55
pp.91-96
ED 2010-06-17
13:00
石川 北陸先端大 InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長
岩杉達矢カマセ サラ角田 梓中谷公彦森 雅之前澤宏一富山大ED2010-33
我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの... [more] ED2010-33
pp.1-4
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