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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:00
富山 富山県民会館 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価
水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-83 ICD2011-51
 [more] SDM2011-83 ICD2011-51
pp.65-68
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:25
富山 富山県民会館 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-84 ICD2011-52
 [more] SDM2011-84 ICD2011-52
pp.69-73
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-144 ICD2010-59
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2010-150 ICD2010-65
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] SDM2010-150 ICD2010-65
pp.143-148
SDM 2009-11-13
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大SDM2009-147
 [more] SDM2009-147
pp.67-71
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
14:00
東京 機械振興会館 [特別講演]微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向
平本俊郎東大/MIRAI-Selete)・竹内 潔角村貴昭MIRAI-Selete)・Arifin T.P.東大)・西田彰男蒲原史朗MIRAI-SeleteSDM2008-135 ICD2008-45
微細トランジスタの特性ばらつきは,半導体技術のおける最大の問題の一つである.最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] SDM2008-135 ICD2008-45
pp.41-46
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