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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
15:45
愛知 名古屋大学 VBL3F 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
矢嶋赳彬東大)・佐俣勇佑西村知紀鳥海 明JST
我々は超高誘電率(比誘電率~110)を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] SDM2019-32
pp.35-38
SDM 2018-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of Tokyo
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] SDM2017-96
pp.21-24
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
10:50
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大
酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは... [more] SDM2017-44 ICD2017-32
pp.107-108
SDM 2017-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of Tokyo
 [more] SDM2016-137
pp.29-32
SDM 2017-01-30
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ~ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ~
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大
モノのインターネット(IoT)においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] SDM2016-138
pp.33-36
SDM 2015-01-27
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
李 秀妍矢嶋赳彬西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-135
pp.1-4
SDM 2015-01-27
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
李 忠賢西村知紀魯 辞莽株柳翔一鳥海 明東大
 [more] SDM2014-136
pp.5-8
SDM 2014-11-07
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism
ChoongHyun LeeTomonori NishimuraAkira ToriumiUniv. of Tokyo
 [more] SDM2014-107
pp.65-70
SDM 2014-06-19
15:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現
矢嶋赳彬二宮裕磨西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-55
pp.65-67
SDM 2014-01-29
09:35
東京 機械振興会館 [招待講演]2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱
長汐晃輔金山 薫西村知紀鳥海 明東大
 [more] SDM2013-135
pp.1-4
SDM 2014-01-29
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察
李 忠賢西村知紀田畑俊行魯 辞莽張 文峰長汐晃輔鳥海 明東大
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する. Ge nMOSFETs... [more] SDM2013-136
pp.5-8
SDM 2010-06-22
14:35
東京 東京大学(生産研An棟) GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御
喜多浩之東大/JST)・王 盛凱李 忠賢吉田まほろ東大)・西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大/JST
 [more] SDM2010-43
pp.55-60
SDM 2009-06-19
13:00
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JST
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] SDM2009-32
pp.33-38
SDM 2007-06-08
13:35
広島 広島大学(学士会館) Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御
喜多浩之能村英幸鈴木 翔高橋俊岳西村知紀鳥海 明東大
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている.HfO2/Geは600℃での... [more] SDM2007-47
pp.85-90
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