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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2012-07-19 15:30 |
茨城 | 茨城大学 日立キャンパス | ［チュートリアル招待講演］Flashメモリ: その動作原理と最新開発動向 ○西山 彰・村岡浩一（東芝）  MR2012-11 |
メモリーカードから 携帯端末、AV機器、PC、サーバーに至るまで、様々なところでFlash メモリーが利用されています。... [more] | MR2012-11 pp.17-21 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| SDM | 2011-07-04 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-53 |
[more] | SDM2011-53 pp.17-22 |
| SDM | 2010-06-22 10:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 ○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-36 |
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] | SDM2010-36 pp.17-22 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| SDM | 2006-06-22 15:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察 ○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山 彰（東芝） |
ゲート電極のメタル化技術（メタルゲート技術）における技術的課題である仕事関数（Φeff）制御について、我々の最近の検討結... [more] | SDM2006-64 pp.125-130 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 10:00 |
北海道 | 函館国際ホテル | ［特別招待講演］HfSiON ～ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ～ ○西山 彰・小山正人・上牟田雄一・小池正浩・飯島良介・山口 豪・鈴木正道・井野恒洋・小野瑞城（東芝） |
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] | SDM2005-146 ICD2005-85 pp.19-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 15:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | [パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！ 榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山 彰（東芝）・長谷 卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ） |
(事前公開アブストラクト) Hi-K技術のパネル討論会 [more] | SDM2005-155 ICD2005-94 pp.73-78 |
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