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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
13:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証
市原玲華藤井章輔今野拓也山口まりな関 春海田中洋毅趙 丹丹吉村瑶子齋藤真澄小山正人東芝メモリ
 [more] SDM2019-50 ICD2019-15
pp.85-88
ICD 2017-04-21
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの,CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや,データ読み出... [more] ICD2017-16
pp.85-88
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
10:40
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝
 [more] SDM2016-62 ICD2016-30
pp.95-98
SDM 2016-06-29
10:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係
上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] SDM2016-32
pp.1-4
SDM 2014-11-06
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題
石原貴光安田直樹藤井章輔東芝
電荷蓄積層の欠陥準位への電子捕獲を利用した電荷蓄積型メモリーは、有力な次世代メモリー候補である.その動作機構は複雑であり... [more] SDM2014-102
pp.37-42
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