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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:25
広島 みやじま杜の宿(広島) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
pp.87-92
SDM 2016-01-28
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2015-125
pp.21-25
ICD 2015-04-16
13:25
長野 信州大学 [依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM
田中信二石井雄一郎薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中浩司塚本康正・○新居浩二佐藤広利ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2015-2
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘塚本康正石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉日大)・松田吉雄金沢大
 [more] SDM2013-76 ICD2013-58
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
14:40
富山 富山県民会館 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘中野博文石原和哉河合浩行有本和民ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2011-91 ICD2011-59
pp.103-108
ICD 2010-04-22
09:50
神奈川 湘南工大 [招待講演]回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ~ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ~
新居浩二薮内 誠塚本康正平野有一岩松俊明木原雄治ルネサス エレクトロニクス
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] ICD2010-2
pp.7-12
ICD 2010-04-22
10:50
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクス
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more]
ICD2010-3
pp.13-16
SDM [詳細] 2008-11-14
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジ
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] SDM2008-178
pp.55-60
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジ
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道 北見工業大学 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
石倉 聡車田総希寺野登志夫山上由展粉谷直樹里見勝治松下電器)・新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹大芦敏行牧野博之篠原尋史ルネサステクノロジ)・赤松寛範松下電器
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。... [more] SDM2007-168 ICD2007-96
pp.145-148
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
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