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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MI 2017-01-18
15:24
沖縄 那覇市ぶんかテンブス館(那覇市) 胎児脳のMRI再構築画像
小山理恵岩動ちず子千田英之佐々木由梨羽場 厳金杉智宣菊池昭彦杉山 徹岩手医科大)・ソニア プジョールバーバード大MI2016-115
 [more] MI2016-115
pp.171-176
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
10:20
富山 富山大学 AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作
武島歩志光野徹也鈴木 翔静岡大)・酒井 優山梨大)・菊池昭彦岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2015-36
 [more] EID2015-36
pp.89-91
OME 2012-05-24
14:30
東京 NTT武蔵野研究開発センター ナノミスト堆積(NMD)法を用いた有機薄膜の成膜とOLEDへの応用
菊池昭彦入江崇之上智大OME2012-24
エレクトロスプレー法の一種であり、ノズル近傍に引出電極を装荷したナノミスト堆積(NMD)法を用いて、緑色発光高分子である... [more] OME2012-24
pp.25-29
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
15:05
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
神村淳平岸野克巳神山幸一菊池昭彦上智大ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121
pp.127-130
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
10:25
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長
神村淳平岸野克巳菊池昭彦上智大/JSTED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110
 [more] ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110
pp.13-18
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:30
愛知 名古屋工業大学 RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製
関口寛人菊池昭彦岸野克巳上智大ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
pp.1-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:55
愛知 名古屋工業大学 GaNナノコラムにおけるランダムレージング
酒井 優岸野克巳菊池昭彦関口寛人上智大/JST)・猪瀬裕太上智大)・江馬一弘大槻東巳上智大/JSTED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
pp.7-12
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
13:30
福井 福井大学 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光
金田昭男京大/JST)・金井聡庸京大)・船戸 充川上養一京大/JST)・菊池昭彦岸野克己上智大/JSTED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58
pp.7-12
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
13:55
福井 福井大学 RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価
関口寛人上智大/JST)・加藤 圭田中 譲上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JSTED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
pp.13-17
LQE, OPE
(共催)
2007-06-29
14:00
東京 機械振興会館 GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移
田中海一幾野敬太葛西洋平福永和哉上智大)・欅田英之江馬一弘菊池昭彦岸野克巳上智大/JSTOPE2007-22 LQE2007-23
通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高... [more] OPE2007-22 LQE2007-23
pp.29-33
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
10:20
京都 京都大学 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
内田裕行上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition:ISBT)はフェムト... [more] ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67
pp.63-67
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
11:00
滋賀 立命館大学 RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価
大橋達男石沢峻介Petter Holmström菊池昭彦岸野克巳上智大
 [more] ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49
pp.17-21
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
14:50
滋賀 立命館大学 RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価
菊池昭彦多田 誠岸野克巳上智大
 [more] ED2005-152 CPM2005-139 LQE2005-79
pp.61-65
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