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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MI | 2017-01-18 15:24 |
沖縄 | 那覇市ぶんかテンブス館（那覇市） | 胎児脳のMRI再構築画像 ○小山理恵・岩動ちず子・千田英之・佐々木由梨・羽場 厳・金杉智宣・菊池昭彦・杉山 徹（岩手医科大）・ソニア プジョール（バーバード大）  MI2016-115 |
[more] | MI2016-115 pp.171-176 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:20 |
富山 | 富山大学 | AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作 ○武島歩志・光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2015-36 |
[more] | EID2015-36 pp.89-91 |
| OME | 2012-05-24 14:30 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | ナノミスト堆積(NMD)法を用いた有機薄膜の成膜とOLEDへの応用 ○菊池昭彦・入江崇之（上智大） OME2012-24 |
エレクトロスプレー法の一種であり、ノズル近傍に引出電極を装荷したナノミスト堆積（NMD）法を用いて、緑色発光高分子である... [more] | OME2012-24 pp.25-29 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 ○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST） ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 |
[more] | ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 pp.13-18 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nｍ程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] | ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:55 |
福井 | 福井大学 | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 pp.13-17 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 ○田中海一・幾野敬太・葛西洋平・福永和哉（上智大）・欅田英之・江馬一弘・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） OPE2007-22 LQE2007-23 |
通信波長帯でのサブバンド間遷移（Intersubband transition：ISBT）は、LOフォノン放出により超高... [more] | OPE2007-22 LQE2007-23 pp.29-33 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 10:20 |
京都 | 京都大学 | Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） |
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト... [more] | ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 pp.63-67 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 11:00 |
滋賀 | 立命館大学 | RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 ○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） |
[more] | ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49 pp.17-21 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 14:50 |
滋賀 | 立命館大学 | ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳（上智大） |
[more] | ED2005-152 CPM2005-139 LQE2005-79 pp.61-65 |
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