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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2012-12-13
09:35
東京 機械振興会館 高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価
田之上文彦首都大東京/NICT)・菅原宏治首都大東京)・赤羽浩一山本直克NICTLQE2012-121
高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて,共振器長100~600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドット... [more] LQE2012-121
pp.1-4
CPM, OPE, LQE, EMD
(共催)
2011-08-26
13:55
北海道 北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 高速MBE成長法による1-um帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製
田之上文彦首都大東京/NICT)・菅原宏治首都大東京)・赤羽浩一山本直克NICTEMD2011-54 CPM2011-98 OPE2011-89 LQE2011-52
 [more] EMD2011-54 CPM2011-98 OPE2011-89 LQE2011-52
pp.113-116
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
17:40
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
中村拓也首都大東京)・赤羽浩一山本直克川西哲也NICT)・菅原宏治首都大東京PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168
波長1um帯量子ドットレーザを試作・評価したので報告する。 高速MBE成長を用いて、高密度InGaAs量子ドットを形成し... [more] PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168
pp.71-74
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